工程技术基础-热插拔知识详解及案例分析讲述.doc

目录 第一章 热插拔概述 2 1.1历史 2 1.2热插拔常见问题 2 第二章 热插拔导致的闩锁效应及其防治 4 2.1闩锁效应及其机理 4 2.2闩锁的产生条件 6 2.3闩锁的常见诱发原因 6 2.4热插拔诱发闩锁的原因分析 6 2.5闩锁的预防措施 7 第三章 热插拔导致的静电问题及其防治 8 3.1静电产生 8 3.2静电放电失效机理 9 第四章 热插拔导致的浪涌问题及其防治 11 4.1浪涌说明 11 4.1.1概念 11 4.1.2产生原因 11 4.1.3影响 12 4.2浪涌防治 13 4.2.1交错引脚法 13 4.2.2热敏电阻法 14 4.2.3单芯片热插拔控制器 15 第五章 总线热插拔 17 5.1 I2C总线热插拔 17 5.2 I2C总线热插拔案例 18 5.3 74LVT16245在总线热插拔中应用 19 5.5扩展知识 CompactPCI总线热插拔 21 第六章 热插拔最新解决方案-数字热插拔芯片 24 6.1热插拔芯片的理念 24 6.2典型应用框图 24  热插拔概述 1.1历史 热插拔（hot-plugging或Hot Swap）即带电插拔 一方面，在军事、电信、金融等领域，设备投入运行后，必须夜以继日的运转，对这些设备的部件进行拆装维修、维护、扩展时，系统不能停机，停机则意味则重大的经济损失。这就要求设备部件能够在系统带电运行的情况下进行接入或者移出。 另一方面，对连接到总线上的设备，对单个设备进行插入或者拔出的时候，不能对总线产生较大干扰，否则会在总线上产生较大的噪声，引起总线上其他设备的停机或者误码产生，影响整条总线业务。 热插拔技术正是在这种需求下应运而生。 民用热插拔技术开始于PC机的开发中， 从586时代开始，系统总线都增加了外部总线的扩展1997年开始，新的BIOS中增加了即插即用功能的支持，虽然这种即插即用的支持并不代表完全的热插拔支持，仅支持热添加和热替换 1.2热插拔常见问题 在以前，我们使用电脑或者其他电子设备时，总会受到警告：不能带电插拔，如果我们带电插拔，轻则造成系统死机或者重启，重则造成接口电路硬件损坏，造成巨大损失。这是什么原因呢，对不支持热插拔的系统，带电插拔为什么会造成如此严重的后果？ 热插拔引发闩锁效应：热插拔前设备之间可能存在较高电位差，如果不采取相应措施这种电位差将对设备上的IC 芯片构成严重危害，尤其是CMOS器件，有可能引发闩锁效应。 热插拔诱发静电问题：虽然冷插拔过程中也有静电问题，但是由于热插拔时一部分电路是处于上电工作状态，因此热插拔时的静电干扰会引发诸如“闩锁效应”之类恶性故障，除此之外，热插拔对于稳定工作的背板设备的静电干扰使得本来在设备内部的背板连接器变成了被静电直接击中的外部接口。 热插拔导致浪涌问题：当单板插入机框时，机框中其他设备已处于稳定工作状态所，所有储能电容均被充满电，而单板上的电容没有电荷，当设备与主板接触时设备上的电容充电将在短时间内从电源系统吸入大量电能，在供电线路上形成一股比正常工作电流高出数倍的浪涌电流。浪涌电流会使电源出现瞬时跌落导致系统复位、引发闩锁效应、导致连接器电路板金属连线和电路元件烧坏。 热插拔对总线造成干扰：总线上插入板卡时，由于新插入板卡电容的充电以及上电过程中一些低阻抗通道的存在，会产生极大的浪涌电流，拉低总线电平，对总线上其他设备产生干扰，影响总线上其他设备的正常运行。同时插拔时也对总线接口带来静电问题。 热插拔导致的闩锁效应及其防治 2.1闩锁效应及其机理 定义：闩锁（Latch up） 是指 图2-1 闩锁内部机理示意图 如图2-1所示，CMOS发生闩锁效应时，其中的NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成一个n-p-n-p的结构，即寄生晶体管，本质是寄生的两个双极晶体管的连接。P衬是NPN的基极，也是PNP的集电极，也就是NPN的基极和PNP的集电极是连着的；N阱既是PNP的基极，也是NPN的集电极。再因为P衬底和N阱带有一定的电阻，分别用R1和R2来表示。 当N阱或者衬底上的电流足够大，使得R1或R2上的压降为0.7V，就会是Q1或者Q2开启。例如Q1开启，它会提供足够大的电流给R2，使得R2上的压降也达到0.7V，这样R2也会开启，同时，又反馈电流提供给Q1，形成恶性循环，最后导致大部分的电流从VDD直接通过寄生晶体管到GND，而不是通过MOSFET的沟道，这样栅压就不能控制电流。 闩锁机理的集总器件表述： 元器件中的寄生晶体管连接关系可以用集总元件来表示，如图2-2所示，其结构实际上是一个双端PNPN结结构，如果再加上控制栅极 ，就组成门极触发的闸流管。该结构具有如图3所示的负阻特性，该现象就称为闩锁效应（闩锁本是闸流管的专有名词）。即双