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第 26 卷 　第 5 期 2005 年 5 月 　　 半 　导 　体 　学 　报 CHIN ESE J OURNAL OF SEMICONDUCTORS Vol. 26 　No. 5 　　May ,2005 3 国家重点基础研究发展规划 (批准号 : T G2000036601) ,国家高技术研究发展计划 (批准号 :2001AA312190 ,2002AA31119Z)和国家自然科学 基金 (批准号 资助项目 　薛　松　男 ,1976 年出生 ,博士研究生 ,从事 GaN 光电子器件工艺的研究. 　罗　毅　男 ,1960 年出生 ,教授 ,从事半导体材料与器件的研究. 　2004205228 收到 ,2004210226 定稿 ν 2005 中国电子学会 p 型 Ga N欧姆接触的比接触电阻率测量 3 薛 　松 　韩彦军 　吴 　震 　罗 　毅 (清华大学电子工程系 集成光电子国家重点实验室 , 北京　100084) 摘要 : 采用多种传输线模型方法 ,测量了 p 型 GaN 上的欧姆接触的比接触电阻率. 通过比较和分析不同测量方法 所得的结果之间的差异 ,得出了一个准确、可靠测量 p 型 GaN 上的欧姆接触的比接触电阻率的方法 ———圆点传输 线模型方法 .利用该方法优化了 p 型 GaN 上欧姆接触的退火温度 ,在氧气气氛中 650 ℃退火后获得了最优的欧姆 接触 ,其比接触电阻率为 5112 ×10 - 4Ω·cm2 . 关键词 : p 型氮化镓 ; 比接触电阻率 ; 传输线模型 ; 圆形传输线模型 PACC : 6855 ; 7280 ; 7830 中图分类号 : TN31218 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 025324177 (2005) 0520965205 1 　引言 GaN 基材料具有优异的化学和物理特性 ,在光 电子学和微电子学领域有着不可估量的应用前 景[1～3 ] . 然而 GaN 基器件的制备存在许多困难 ,其 中 p2GaN 上的欧姆接触的制作就是其中的难点之 一. 近年来 ,国内外许多研究小组通过多种方法从多 方面进行了研究 ,改善了 p 型 GaN 上的欧姆接触. Ishikawa 等人发现选取功函数大的金属作电极可 以降低接触的肖特基势垒高度 ,从而降低欧姆接触 的比接触电阻率[ 4 ] ;薛松等人通过处理 p 型 GaN 表 面 ,去除其表面上的氧化层 ,并且改变了表面物理化 学状态 ,因而改善了 p 型 GaN 上的欧姆接触[5 ] ; Ho 等人改变 p 型电极的退火气氛 ,把它置于氧气中退 火获得了比接触电阻率为 10 - 6Ω·cm2 量级的 p2 GaN 上的欧姆接触[6 ] . 然而对于 p 型 GaN 上的欧姆接触的比接触电 阻率的测量 ,不同小组之间的测量方法存在很大差 异.比接触电阻率 (SCR ,specific contact resistance) 是定量反映电极金属和半导体材料之间欧姆接触质 量的重要参数. 目前 ,存在基于不同模型的多种测量 比接触电阻率的方法 ,其测量结果有较大差别. 当比 接触电阻率很小时 ,即使采用同一种方法 ,不同作者 的结果也会有数倍之差. 因此 ,选取相对较准确的 , 且具有可重复性的比接触电阻率的测量方法 ,对于 正确评价欧姆接触的好坏至关重要. 比接触电阻率的测量主要分为两大类 :一类是 体材料上的比接触电阻率的测量 ,包括有“四探针 法”、“拟和法”等 ;另一类是薄膜材料上的比接触电 阻率的测量 ,包括多种“传输线模型方法 ( TL M , t ransmission line model) ”和“界面接触电阻直接测 定法”[7 ] . 本论文的研究对象是厚度为 1μm 的 p2 GaN 材料 ,属于薄膜型半导体材料. 因此 ,我们采用 了矩形、圆环和圆点三种传输线模型方法对 p 型 GaN 上欧姆接触的比欧姆接触率进行了测量 ,并且 讨论了这几种 TL M 测量方法的优缺点. 2 　实验 实验样品为薄膜型的 p 型 GaN 材料 ,由低压金 属有机化合物气相外延 (L P2MOV PE) 技术生长获 得. 其生长过程为 :在 (0001)晶向的蓝宝石衬底上依 次生长了 25nm GaN 缓冲层 ,1μm 非掺杂 GaN ,以 半 　导 　体 　学 　报 第 26 卷 及 1μm p2GaN. 其中 ,p 型 GaN 层的空穴浓度和迁 移率通过霍尔方法测得 ,分别为 3 ×1017 cm - 3 和 3cm 2 / (V ·s) . 采用的三种欧姆接触的比接触电阻率测量方 法 ,分别为矩形传输线模型方法、圆环传输线模型方 法和圆点传输线模型方法[ 7～9 ] ,其中圆环传输线模 型方法和圆