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电子信息材料 -04——半导体材料;第四章 半导体材料;目录;绝缘体:
半导体:
导体:
超导体:
************
能隙:
费米能级:
空穴:
正(负)电荷:
晶体管:
二极管: ;肖克莱、巴丁、布拉顿(美国)贝尔实验室,1948年6月正式申请专利。;4.1 半导体的物理基础简介;轨道杂化?;处在基态和激发态的半导体; ;本征半导体的掺杂——类氢模型;半导体的输运特性;半导体的输运特性;热电效应
光电发射效应,光电导效应,光伏效应
电磁效应;4.2 PN结的光生伏特效应;多子是什么?
典型代表有?;P-N结;P-N结的内建电场;太阳能电池材料;性能特点:
1 解理面为{110};
2 与硅和锗相比,禁带宽度大(1.43 eV);(决定半导体器件最高工作温度,450摄氏度下可正常工作)
3 电子迁移率高;
4 电子有效质量低(杂质电离能小,低温下仍可电离,可制成低温下工作??器件);
5 光电转换效率高;
6 具有负阻效应;(硅和锗没有) ;GaAs 砷化镓;直接带隙;砷化镓的负微分电导(负阻)效应;其他III-V族化合物半导体;固溶体半导体;红外光谱仪——Bruker IFS66V/s
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