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编号：WK-16-6-YD 页码：第1页共1页 版本/修订号：A版/0次 广州市粤电实业有限公司电子设备厂 晶体管直流参数测试表操作说明 开机，接通电源开关使表头工作。 置极性选择键与被测管相符(NPN或PNP)插上被测管。 晶体三极管各项参数测量： A：V(BR)档的使用： VCBO：E极对地开路；C极插C极插孔；B极插到E极插孔，按相应的电压输入键，从V(BR)度线读数同所选档位倍乘为实测数据。 VCEO：B极对地开路；C、E极插相应孔位。(方法同测VCBO) VEBO：C极对地开路；E极插C插孔；B极插E插孔。(方法同测VCBO) VCES：BE极短路后，插E极插孔；C极插C插孔(方法同测VCBO) B：VCE(sat)档的使用： VCE(sat)的测量，将三极管的各极插入对应的各插口，根据被测管功率选择对应IC 输入键按下，由VCE(sat)刻度线直接可以读数、注意不能用大电流档测小功率管，对同 一型号的管子，饱和压降值越小越好。 C：hFE档的使用： hFE值的测量将三极管的各极插入对应的各插口，根据被测管的功率选择对应的Ib/ 电流输入键，测得hFE最大的一档为该管最有效的工作状态。ICEO值的测量，B极对地 开路，选择适当的档级，从相应的ICEO刻度线读数同档位倍乘为实测数据。 测试场效应管： A：V-MOS耐压测试：先将测试管G(栅极)同S极(源极)短路，接至E插