SiC单晶片加工过程中切割力的分析与建模.pdfVIP

学兔兔 第 51卷第 23期 机 械 工 程 学 报 V_01．51 No．23 2015年 l2月 JOURNALOFMECHANICALENGINEEIUNG Dec． 2015 DoI：l0．3901／JM E．2015．23．189 SiC单晶片加工过程中切割力的分析与建模水 李淑娟 刘 永 侯晓莉 高新勤 (西安理工大学机械与精密仪器工程学院 西安 710048) 摘要：SiC单晶具有优 良的物理和机械性能，在微电子和光电领域得到了广泛应用，然而由于其高硬度和脆性，晶片的制造 非常困难、效率低下。为提高 SiC单晶片的加工质量和加工效率，分析了SiC单晶片线锯切割过程中的受力情况；从切屑变 形和摩擦两个方面，建立单颗磨粒的法向和切向受力模型，进而得到线锯切割力与工艺参数及线锯物理属性的关系模型：设 计了切割力的试验装置，通过不同加工参数下的试验研究，确定了关系模型中的应力系数；通过理论值与试验值的对比校验， 法向力和切向力预测值的误差小于9．18％，并对误差产生原因作了分析。结果表明，该切割力理论模型可以对SiC单晶片在 同等线锯切割环境下的切割力进行有效预测，为切削力的优化控制提供了理论依据。 关键词：SiC单晶片；线锯切割；切割力；分析与建模 中图分类号：TG663 AnalysisandM odelingCuttingForceforSiCM onocrystalW afer Processing LIShujuan LIUYong HOUXiaoli GAOXinqin (SchoolofMechanicalandPrecisionInstrumentEngineering，Xi’anUniversityofTechnology,Xi’an710048) Abstract：Havinganexcellentphysicalandmechanicalproperty,siliconcarbide(sic)monocrystalisusedextensivelyinthefieldof microelectronicsand optoelectronics．However,thehigh hardnessand brittlenessmakethe SiC waferprocessing diffi cultand inefficient．InordertoimprovehtesurfacequalityandprocessingefficiencyofSiCwa~r, cuttingforceofwiresaw isdeveloped duringthewafe．rprocessing．From theview ofchipdeformationandfriction．htemodelsofnormalforceandtangentialforcerae establishedforsingleabrasive，andahteoreticalmodelfrom thecuttingforcena dprocessparametersandphysicalattributesofwire saw isobtained．Thecuttingforceexperimentsaresetup，na dthenthecoefficientsofthemodelaredeterminedunderdifferent processparameters．Compraedwiththeexperimenatlresults，theaverageerrorsofnormalandtangentialforcespredictionareless than9．18％ andthereasonsofrthemodelingerrorsarealsona alyzed．Theresultsshow thatthemodelCna predictthecuttingforce forwiresaw cuttingprocessun