【2017年整理】1.高电压技术前言及第一章讲稿.ppt

高电压技术;前言 profile; 高电压技术作为工程技术中的一门学科的原因：;20世纪电力发展特点:;21世纪电力发展特点:;21世纪电力发展特点:;设备可靠性随电压升高而下降 设备的体积随电压升高而增大;电压;气体的绝缘特性;概述; ; 输电线路以气体作为绝缘材料; 变压器相间绝缘以气体作为绝缘材料; 液体与固体绝缘材料中的气体;2.带电质点的产生;2.带电质点的产生;2.带电质点的产生;（a）碰撞游离;（b）光游离;（c）热游离;（d）金属表面游离;(1)去游离;气体中带电粒子的产生与消失;第二节 均匀电场中气体间隙的放电特性电子崩与流注;均匀电场中气体的伏安特性;均匀电场中气体的伏安特性;均匀电场中气体的伏安特性;(1).电子崩 在电场作用下电子从阴极向阳极推进而形成的一群电子。;-;电子崩的电荷分布;设单个电子在电场方向走过单位距离产生的碰撞电离数为? ，假设由于外界的作用从阴极发出一个电子，经过距离x后电子数增加到n，再经过距离dx，增加的电子数为dn。 ; 汤森理论分析：;碰撞电离系数 ?;若要产生碰撞电离，则此能量至少应等于气体分子的电离能wi。;A is constant, P is pressure;汤森的自持放电条件; 电子崩中的正离子在返回阴极时，由于其具有的位能（电离能）及动能而在阴极上产生的二次电离是取得二次电子使放电转为自持的关键。; 如果每个正离子返回阴极时，由于其具有的位能及动能，从阴极上释放出 ? 个二次电子。（假设起始电子不参加电离过程）;?取决于;均匀电场中气隙的击穿电压;巴申定律;PASCHEN 巴申定律;;2.汤逊应用中出现的问题;汤森放电理论的缺陷;流注理论要点:;一个初始电子，在向阳极运动的过程中产生碰撞电离发展成电子崩-初始电子崩。 当初崩发展到阳极时，产生的电子迅速跑到阳极上中和掉。留下来的正离子作为正空间电荷使后面的电场受到畸变和加强，同时向周围放射出大量光子。; 这些光子在附近的气体中导致光电离，在空间产生二次电子。它们在正空间电荷所畸变和加强了的电场的作用下，又形成新的电子崩叫二次崩。 ; 二次崩头部的电子跑向初崩的正空间负荷，与之汇合成为充满正负带电粒子的混合通道。这个电离通道称为流注。 流注导电性能良好，其端部又有二次崩留下的正电荷，因此大大加强了前方的电场，促使更多的新电子崩相继产生并与之汇合，从而使流注向前发展（阳到阴）。到流注通道把两极接通时将导致间隙的完全击穿。;初崩头部的电荷达到一定的数量，使电场得到足够的畸变和加强并造成足够的空间光电离。一般认为当?d=20时便可以满足上述条件。;第三节 不均匀电场中气隙的放电特性;一.电晕放电现象;2.电晕放电的危害;3.电晕放电利用;3.电晕放电利用;4.防止电晕放电方法;二.电晕放电的起始场强;二.电晕放电的起始场强;二.电晕放电的起始场强; 本节讨论的是以棒一板为例来研究极不均匀电场中放电的发展过程。 分析过程：当逐步升高加在棒一板间隙上的电压时，将首先在场强最大的棒极端部出现电晕。 当棒极端部曲率很小时，电晕开始时表面的高场强区很窄，所以电晕层很薄，而且较均匀。随着电压的升高，电晕层不断扩大，个别电子崩形成流注，电晕层就不再是均匀的，如果电极的曲率半径较大，则因高场强区较宽，电晕一开始就表现为比较强烈的流注形式。电压进一步升高，个别流注继续发展，最后流注贯通间隙，导致间隙完全击穿。; 当间隙距离较长（ d l m ）时，在流注通道还不足以贯通整个间隙的电压下，仍可能发展起击穿过程。 当棒一板间隙中，从棒极开始的流注通道发展到足够的长度后，将有较多的电子沿通道流向电极，电子在沿通道运动过程中，由于碰撞引起气体温度升高，通道逐渐炽热起来。通道根部通过的电子最多，故流注根部的温度最高，当电子越多和根部越细时，根部的温度越高，可达数千度或更高，足以使气体产生热游离，于是从根部出发形成一段炽热的高游离火花通道，这个具有热游离过程的通道称为先导通道。由于先导通道中出现了新的; 由于先导通道中出现了新的更为强烈的游离过程，故先导通道中带电质点的浓度远大于流注通道，因而电导大，压降小。 由于流注通道中的一部分转变为先导，就使得流注区头部的电场加强，从而为流注继续伸长到对面电极并迅速转变为先导创造了条件。这过程称为先导放电。 当先导通道发展到接近对面电极时，在余下的小间隙中的场强可达到极大的数值，从而引起强烈的游离，这一强游离区又以极高的速度向相反方向传播，此过程称为主放电。当主放电形成的高电导通道贯穿两电极间隙后，间隙就类似被短路，失去