【2017年整理】光刻工艺介绍1.pptVIP

光刻工艺介绍1;General Photolithography Process;涂胶/显影概况;涂胶菜单;前处理（PRIMING）;涂胶前处理（Priming）;HMDS;涂胶（Coating）;☆涂胶的关键在于控制膜厚及其均匀性 影响光刻胶厚度和均匀性的主要参数：[括号内的值为 实际工艺参数设置] 环境温度（23°C) 环境湿度(40%) 排风净压力(5 mmaq) 光刻胶温度(23°C+/-0.5） 光刻胶量（1.2-1.5cc) 旋转马达的精度和重复性 回吸量 预旋转速度 预旋转时间 最终旋转速度 最终旋转时间 最终旋转加速度 ;涂胶——均匀性的影响因素(1);涂胶——均匀性的影响因素(2);软烘（Soft Bake）;Post Exposure Bake;显影菜单（DNS 5#）介绍;显影前烘焙（Post Exposure Bake）;驻波效应（Standing Wave）;Footing and Undercut;显影（Develop）;坚膜（Hard Bake）;PR/HMDS影响;解决PR/HMDS造成的显影缺陷的措施： 检查HMDS的流量是否正常，温度是否设置恰当，必要时，可以考虑试用不同厂家的HMDS ???同PR和显影液菜单的组合，对显影缺陷的影响程度不一样，如PR 20#菜单/DEV 5#搭配与DEV 10#菜单搭配对某些层次有不同的影响。如不同的搭