【2017年整理】光刻工艺原理8.pptVIP

8 光刻工艺原理;光刻的基本概念;硅片的制造流程;套准精度：光刻要求硅片表面上存在的图案与掩模版上的图形准确对准，这种特性指标就是套准精度。对准十分关键是因为掩模版上的图形要准确地转移到硅片上。 分辨率：指将硅片上特征图形区分开来的能力。 两个邻近的特征尺寸：硅片上形成图形的实际尺寸就是特征尺寸。 关键尺寸：最小的特征尺寸就是关键尺寸。对于关键尺寸来说，分辨率很重要。;光刻技术的基本要求 ;光刻工艺;负性光刻;正性光刻;掩膜版与光刻胶之间的关系;光刻的八个步骤;1：气相成底膜处理;成底膜技术;HMDS滴浸润液和旋转;2：旋转涂胶;光刻胶涂胶方法;旋转涂布光刻胶的4个步骤;旋转涂胶;涂胶设备;光刻胶;光刻胶的种类及对比;光刻胶的成分;负性光刻胶交联;正性I线光刻胶;正性I线光刻胶良好的对比特性;正性I线光刻胶;光刻胶的物理特性;影响曝光分辨率的主要因素;2、对比度:是光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度代表着只适于在掩膜板透光区规定范围内曝光的光刻胶的能力。高对比度产生的垂直的光刻胶侧墙是理想的。;3、敏感度：是硅片表面光刻胶中产生一个良好图形所需的一定波长光的最小能量值,提供给光刻胶的光能量值通常称为曝光量。 4、粘滞性:指的是对于液体光刻胶来说其流动特性的定量指标.粘滞性与时间相关,因为它会在使用中随着光刻胶中溶剂挥发增加。 5、粘附性:光刻胶的粘附性描述了光刻胶粘着于