【2017年整理】固体物理复习题.docVIP

第七章 1．直接带隙半导体与间接带隙半导体的区别，以及它们光吸收的特征。 导带边和价带边处于k空间相同点的半导体通常被称为直接带隙半导体（竖直跃迁，）。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量，不需要改变动量，直接带隙半导体电子跃迁时不需要释放或吸收声子直接带隙半导体更容易跃迁k空间不同点的半导体通常被称为间接带隙半导体。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。单纯吸收光子不能使电子由价带顶跃迁到导带底，电子在吸收光子的同时伴随着吸收或者发出一个声子。非竖直跃迁过程中，光子提供电子跃迁所需的能量，声子提供跃迁所需的动量。非竖直跃迁是一个二级过程，发生几率比起竖直跃迁小得多 2．何为浅能级杂质的类氢模型？其主要结论是什么？ 束缚能很小，对于产生电子和空穴特别有效，施主或受主的能级非常接近导带或价带，称浅能级杂质 优点：基本上能够解释浅能级杂质电离能的小的差异，计算简单。缺点：没有反应出杂质原子的影响。只有电子轨道半径较大时，该模型才较适用 3．何为施主？何为受主？它们的能级处在什么位置？ 施主：杂质在带隙中提供带有电子的能级，能级略低于导带底的能量； 受主：杂质提供带隙中空的能级，电子由价带激发到受主能级要比激发到导带容易的多。 4．为什么通常情况下，半导体中的电子和空穴都可应用波耳兹曼统计？ 半导体常见的是费米能级EF位于禁带之中，并且满足： E-–