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3.1 概述 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门 ······ 3.1 概述 功能：实现逻辑运算，是构成数字电路的基本单元电路。 获得高、低电平的基本原理 正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示0，低电平表示1 数字集成电路按规模分类 集成电路按规模分类 集成度：每块集成电路芯片中包含的元器件数目。 小规模集成电路 (Small Scale IC，SSI) 中规模集成电路 (Medium Scale IC，MSI) 大规模集成电路 (Large Scale IC，LSI) 超大规模集成电路 (Very Large Scale IC，VLSI) 特大规模集成电路 (Ultra Large Scale IC，ULSI) 巨大规模集成电路 (Gigantic Scale IC，GSI） 3.2半导体二极管门电路半导体二极管的结构和外特性（Diode） 3.2.1二极管的开关特性： 二极管的开关等效电路： 二极管的动态电流波形： 3.2.2 二极管与门 3.2.3 二极管或门 二极管构成的门电路的缺点 电平有偏移 带负载能力差 只用于IC内部电路 3.3 CMOS门电路3.3.1 MOS管的开关特性 一、MOS管的结构 以N沟道增强型为例： 二、输入特性和输出特性 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区 恒流区 可变电阻区 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω 漏极特性曲线（分三个区域） 恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大 漏极特性曲线（分三个区域） 可变电阻区：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定时， 这个电阻受VGS 控制、可变。 三、MOS管的基本开关电路 四、等效电路 五、MOS管的四种类型 增强型 耗尽型 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 二、电压、电流传输特性 三、输入噪声容限 结论：可以通过提高VDD来提高噪声容限 3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 一、输入特性 二、输出特性 二、输出特性 3.3.4 CMOS反相器的动态特性 一、传输延迟时间 二、交流噪声容限 三、动态功耗 三、动态功耗 3.3.5 其他类型的CMOS门电路 一、其他逻辑功能的门电路 3.3.5 其他类型的CMOS门电路 一、其他逻辑功能的门电路 带缓冲极的CMOS门 1、与非门 带缓冲极的CMOS门 2.解决方法 1. 与非门 (a)输入均为高电平 (b)输入中有一个高电平 (c)输入均为低电平 2. 或非门 高教出版社 《数字电子技术基础》第五版 第三章 门电路 本次课主要内容 概述 半导体二极管门电路 CMOS门电路 CMOS反相器的电路结构和工作原理 CMOS反相器的输入输出特性 其他类型CMOS门电路 门电路中以高/低电平表示逻辑状态的1/0 门 电 路 按工艺分为两大系列： TTL，CMOS 按功能分： 与、或、非 与非、或非、与或非、异或… 74LS00引脚配置及DIP封装外形图 常用门电路芯片型号及引脚图 74LS00 2输入四与非门 TTL门电路 常用门电路芯片型号及引脚图 六反向器 74HC04 CMOS门电路 高/低电平都允许有一定的变化范围 划分集成电路规模的标准 数字集成电路 类 别 MOS IC 双极 IC 模拟集成电路 SSI ＜ 10 2 ＜ 100 ＜ 30 MSI 10 2 ～ 10 3 100 ～ 500 30 ～ 100 LSI 10 3 ～ 10 5 500 ～ 2000 100 ～ 300 VLSI 10 5 ～ 10 7 ＞ 2000 ＞ 300 ULSI 10 7 ～ 10 9 GSI ＞ 10 9 二极管的结构： PN结 + 引线 + 封装构成 P N 高电平：VIH=VCC 低电平：VIL=0 VI=VIH D截止，VO=VOH=VCC VI=VIL D导通，VO=VOL=0.7V 设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=3V VIL=0V 二极管导通时 VDF=0.7V 3.7V 3V 3V 0.7V 0V 3V 0.7V 3V 0V 0.7V 0V 0V Y B A 1 1 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 Y B A 规定3V以上为1 0.7V以下为0 设VCC = 5V 加