原创力文档- 1、本文档共55页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
Chap2MOS器件物理基础
第二章 MOS器件物理基础;目录;MOSFET的结构(1);MOSFET的结构(2);CMOS技术趋势;MOSFET的结构(3);MOS管正常工作的基本条件;目录;MOSFET的工作(1);MOSFET的工作(2);MOSFET的工作(3) ＋;MOSFET的工作(4) ＋;I/V特性的推导(1);I/V特性的推导(2);I/V特性的推导(3);I/V特性的推导(4);三极管区的MOSFET;深三极管区的MOSFET;I/V特性的推导(5);饱和区的MOSFET;饱和区的MOSFET;NMOS的IV特性(1);NMOS的IV特性(2);MOSFET的跨导gm;目录;MOS管的开启电压VT及体效应;体效应/背栅效应;MOS管体效应的Pspice仿真结果;沟道长度调制(1);沟道长度调制(2);MOS管跨导gm不同表示法比较;亚阈值导电性(1);亚阈值导电性(2);目录;MOS器件版图;MOS器件电容(1);MOS器件电容(2);MOS器件电容(3);MOS器件电容(4);截止区：;MOS低频小信号模型 ＋;栅极电阻;完整的MOS小信号模型;Spice模型;Models for Simulation of MOS Circuits;First Generation Models;Second Generation Models;Third Generation Models;Performance Comparison of Models;NMOS vs. PMOS;总结;作业及预习;例：若W/L＝50/0.5，|ID|＝500uA，分别求: NMOS、PMOS的跨导及输出阻抗以及本征增益gmr0 （tox=9e-9 λn=0.1, λp=0.2 , μ n= 350cm2/V/s, μ p= 100cm2/V/s ）;一些数字;Reference
文档评论（0）