数字集成电路第4章MOS集成电路器件基础.pptVIP

第四章 MOS晶体管基础 4.1 MOS晶体管的工作原理 4.2 MOS晶体管的阈值电压 4.3 MOS晶体管特性 4.4 MOS器件按比例缩小 MOS管的输出特性曲线 一、 体效应对阈值电压的影响 衬底相对于源端的偏置电压称为衬底偏压 衬底偏压对阈值电压的影响就叫做体效应或衬偏效应，NMOS一般存在负衬底偏压，负衬底偏压使源-沟道-漏区与衬底之间的pn结处于反偏，从而使衬底耗尽层展宽，耗尽层电荷数增加，进一步屏蔽了栅压形成的电场，要在 半导体表面感应出反型载流子则需要更大的栅压。 对NMOS管负的衬底偏压的作用是阈值电压提高。 其中 衬底偏置效应与体校应系数有关系，体效应系数越大，衬底偏压对阈值电压的影响越大。 二、 离子注入对阈值电压的影响 衬底掺杂浓度对阈值电压的影响很大。如果仅使沟道区衬底表面区域的掺杂浓度提高而整个衬底仍维持较低掺杂浓度，就可在不影响其它性能的前提下得到合适的阈值电压。离子注入可以很好的控制注入杂质的数量和深度。离子注入可以注入和衬底相同类型的杂质，如P型硅衬底注硼；也可以注入和衬底相反类型的杂质，如P型硅衬底注磷或砷。制作增强型的NMOS管，需要注入和衬底相同类型的杂质，做作耗尽型NMOS，要注 入和衬底相反类型的杂质，以便形成原始的导电沟道。 离子注入引起的阈值电压的变化可用下式近似估算： 三、 短窄沟效应对阈值电压的影响 短沟效应使阈值电压降低;窄沟效应使阈值电压增大，所以可以使短、窄 沟效应互相补偿。 三、 短窄沟效应对阈值电压的影响 1.短沟道效应：长沟道时，栅压引起的耗尽层近似为矩形，忽略源漏耗尽 层向沟道区内的扩展;当沟道长度很短时，源漏耗尽层的扩展变得不可忽 略，会分担一部分耗尽区，使作用的栅压减小，使阈值电压下降。 2.窄沟道效应：每个器件四周都有场氧保护，由于边缘场的影响，使沟道 区耗尽层在沟道宽度两侧向场区有一定的扩展，当沟道宽度较大时，耗 尽层向两侧场区扩展部分可以忽略；但对于窄宽度的器件，边缘场造成 的耗尽层电荷量比原来计算的大，由于扩展部分由栅压引起，所以窄沟 道效应使阈值电压增大。 一、 MOS管的电流方程 NMOS管在截止区、 线性区、 恒流区的电流方程如式所示： PMOS在截止区、 线性区、 恒流区的电流方程如式所示： 式中参数含义如下： (1) μn——电子迁移率(单位电场作用下电子的迁移速度)；μp——空穴迁移率(单位电场作用下空穴的迁移速度)。 若 μn≈1300 cm2/s·V  μp≈500 cm2/s·V 则 (2) Cox——单位面积栅电容， 且 UTH的温度系数大约为： (5) λn、 λp——沟道调制系数， 即UDS对沟道长度的影响。 对NMOS 对于典型的0.5 μm工艺的MOS管， 忽略沟道调制效应， 其主要参数如表 所示。 假定有一NMOS管， W=3 μm, L=2 μm, 在恒流区则有: 二、 MOS管的输出电阻 1. 线性区的输出电阻 根据线性区的电流方程， 当UDS很小(UDS2(UGS-UTH))时， 可近似有 那么， 输出电阻RON为 2. 恒流区的输出电阻 根据恒流区的电流方程， 有  三 MOS管的跨导gm 恒流区的电流方程在忽略沟道调宽影响时为平方律方程， 即 可见， 在W/L不变的情况下， gm与(UGS-UTH)成线性关系， 与ID的平方根成正比； 在ID不变的情况下， gm与(UGS-UTH)成反比。 其变化曲线如图 所示。 四. MOS管的特征频率fT MOS管的特征频率为 式中， L为沟道长度， μn为电子迁移率， E为沟道电场强度(E=UDS/L) ，代入得 以上分析表明： ·MOS场效应管的性能与宽长比(W/L)有很强的依赖关系; ·沟道长度L越小， fT及gm越大， 且集成度越高, 因此， 减小器件尺寸有利于提高器件性能。 ·提高载流子迁移率μ有利于增大fT及gm， NMOS的μn比PMOS的μp大2～4 倍， 所以NMOS管的性能优于PMOS管; ·体效应(衬底调制效应)、 沟道调制效应(λ与UA)和亚阈区均属于二阶效应， 在MOS管参数中应有所反映。 一、CE规则按比例缩小理论 出发点：如果在缩小尺寸的过程中能够保证器件内部的