电磁辐射及原理南昌大学.pptVIP

若单元天线之间的电流相位差 ，由前式得 此结果表明，若不考虑单元天线的方向性，则天线阵的主射方向指向电流相位滞后的一端。这种天线阵称为端射式天线阵。 下图给出了由两个半波天线构成的几种二元阵的方向图。 0 ?? d = ?/2 0 0 d = ?/2 0 –??2 d = ?/4 根据方向图乘法规则即可理解这些二元阵方向图的形成原因。 5. 对偶原理 前已指出，电荷与电流是产生电磁场的惟一源。自然界中至今尚未发现任何磁荷与磁流存在。但是对于某些电磁场问题，引入假想的磁荷与磁流是有益的。 引入磁荷与磁流后，认为磁荷与磁流也产生电磁场。那么，前述描述正弦电磁场的麦克斯韦方程修改如下： 式中 J m(r) —— 磁流密度； ? m(r) —— 磁荷密度。 磁荷守恒定律: 如果将上述电场及磁场分为两部分：一部分是由电荷及电流产生的电场 及磁场 ；另一部分是由磁荷及磁流产生的电场 及磁场 ，即 将上式代入前式，由于麦克斯韦方程是线性的，那么由电荷和电流产生的电磁场方程，以及由磁荷和磁流产生的电磁场方程分别如下： 将上述两组方程比较后，可以获得以下对应关系： 这个对应关系称为对偶原理或二重性原理。 对偶原理建立了电荷及电流产生的电磁场和磁荷及磁流产生的电磁场之间存在的对应关系。因此，如果我们已经求出电荷及电流产生的电磁场，只要将其结果表示式中各个对应参量用对偶原理的关系置换以后，所获得的表示式即可代表具有相同分布特性的磁荷与磁流产生的电磁场。 例如，根据 z 向电流元 Il 的远区场公式即可直接推出 z 向磁流元Ilm产生的远区场应为 将磁流元远区场公式与前节电流环的远区场公式比较可见，两者场分布非常类似。因此位于 xy 平面内的电流环即可看作为一个 z 向磁流元。由此可见，虽然实际中并不存在磁荷及磁流，但是类似电流环的天线可以看作为磁流元。 引入磁荷 ? m 及磁流 J m 以后，麦克斯韦方程的积分形式与前不同，涉及的两个方程为 那么，由麦克斯韦方程积分形式导出的前述边界条件必须加以修正。但是，上两式仅涉及电场强度的切向分量和磁场强度的法向分量，即电场强度的切向分量和磁场强度的法向分量边界条件修改如下： 式中 为表面磁流密度， 为表面磁荷密度， 由媒质①指向媒质②，如下图示。 ? ?1, ?1 ?2, ?2 et en E1t E2t B1n B2n 已知磁导率 ??? 的理想导磁体，其内部不可能存在任何电磁场，但其表面可以存在假想的表面磁荷与磁流。那么，理想导磁体的边界条件为 6. 镜像原理 静态场中的镜像原理的理念同样也适用于时变电磁场，但是也仅能应用于某些特殊的边界。这里仅讨论无限大的理想导电平面和无限大的理想导磁平面两种边界。 设时变电流元 Il 位于无限大的理想导电平面附近，且垂直于该平面，如左图示。为了求解这种时变电磁场的边值问题，可以采用镜像原理。 ? ? Il ??? E0 r0 E+ E- 为此，在镜像位置放置一个镜像电流元 ，且令 ， 。以镜像电流元代替边界的影响以后，整个空间变为媒质参数为?, ? 的均匀无限大空间。 同时考虑到正弦时变电流与时变电荷的关系为 。时变电流元的电荷积累在电流元的两端，上端电荷 ，下端电荷 ，如下图示。 ? ? -q q ??? E Il ? ? ? ? Il -q q -q q Il 由于引入镜像源以后，整个空间变为均匀无限大的空间，因此可以通过矢量位 A 及标量位? 的积分公式计算场强。 电流元 Il 产生的电场强度为 式中 类似地，可以求得镜像电流元 产生的电场为 式中 对于边界平面上任一点， ， 。各分量电场的方向如左图示。已设 ，故 ，又 ，因此，合成电场 的方向垂直于边界平面，即边界平面上的电场切向分量为零。这就证明了引入的镜像电流元满足给定的边界条件。 由于此时镜像电流元的方向与原来的电流元方向相同，这种镜像电流元称为正像。 类似地，可以证明位于无限大理想导电平面附近的水平电流元的镜像电流元为负像。位于无限大的理想导电平面附近的磁流元与其镜像磁流元的关系恰好与电流元情况完全相反，如下图示。 E0 r0 E+ E- ? ? ? ? Il -q q -q q Il ? ?? 电流元 磁流元 ? ?? 由此可见，从天线阵理论的角度来看，镜像法