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——————————————————————————————————————————————— 100mm InGaPGaAs HBT及相关电路关键工艺 第26卷　第1期2005年1月　　 半　导　体　学　报 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS Vol.26　No.1 　　Jan.,2005 100mmInGaP/GaAsHBT及相关 电路关键工艺 3 石瑞英1　孙海锋2　刘训春2　刘洪民2 (1四川大学物理系,成都　610064)(2中国科学院微电子研究所,北京　100029) 摘要:对100mmIn0.49Ga0.51P/GaAsHBT器件及相关电路制备中的In0.49Ga0.51P腐蚀问题、聚酰亚胺平面化、空气桥等几项关键工艺进行了研究,解决了器件及电路制备过程中出现的难题,尤其是用很简单的方法解决了In0.492 Ga0.51P腐蚀过程中经常出现的腐蚀“岛”问题,并且成功地制作出所设计的器件及电路. 关键词:In0149Ga0151P腐蚀;聚酰亚胺平面化;空气桥 EEACC:1350F;2560J 中图分类号:TN385 文献标识码:A 文章编号:025324177(2005)0120106205 了所设计的器件及电路,并对所制备出的电路进行 1　引言 GaAsHBT及相关电路在光纤通信及无线通信 了测试和分析. 2　In0.49Ga0.51P腐蚀过程中存在的问 领域有着广阔的应用前景,而我国在这方面的研究相对来说起步较晚,制备工艺并不完善,在器件及电路的制备过程中,仍有许多有待解决的问题.因此我国光纤通信及无线通信系统中的主要元部件主要依赖进口,这严重制约了我国国民经济的发展,甚至对国家的信息安全构成了巨大的威胁.所以对100mmGaAsHBT及相关电路制备工艺的研究是至关重要 题 　　在In0.49Ga0.51P/GaAsHBT的制备过程中,往往采用HCl系腐蚀液,尽管用这种方法腐蚀In0.492Ga0.51P已取得了巨大成功,可有时在发射极金属周 围会出现一些“小岛”,如图1所示.这些“岛”的存在将增加基区串联电阻,影响后续工艺的制作和器件性能,严重时将造成器件的EB结短路,致使器件损坏.为了提高器件的性能及成品率,必须找到产生“岛”的原因并提出相应的解决方案. 我们采取分析与逐步排除的方法以寻求产生问题的原因并找到解决的方法.首先研究腐蚀温度及腐蚀时间对“岛”的影响.用TiPtAu作发射极金属,腐蚀液的温度为30℃,腐蚀时间分别为5,20和60s.实验监测,5s之内即可把In0.49Ga0.51P腐蚀掉,可是腐蚀时间为5s和20s时发现发射极金属周围有“岛”存在,腐蚀时间为60s时没有发现“岛”.在腐蚀 的. 在GaAsHBT及相关电路的制备过程中存在许 多工艺难题需要解决:(1)In0.49Ga0.51P腐蚀过程中经常出现的腐蚀“岛”问题;(2)由于台面结构存在的金属爬坡时的断线问题;(3)如何减少交叉金属引起的寄生电容等问题.对这些问题的解决直接影响到器件及其电路制备的成败.本文针对100mmIn0.49Ga0.51P/GaAsHBT器件及电路中出现的问题进行了 深入、系统的研究,并在研究过程中解决了电路制备中出现的上述难题,进一步完善了制备工艺,制作出 3国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:G200006830403) 　石瑞英　女,副教授,目前主要从事化合物半导体器件及微波单片集成电路等方面的研究.　2003212216收到,2004204208定稿 ??2005中国电子学会 第1期石瑞英等:　100mmInGaP/GaAsHBT及相关电路关键工艺107 “岛”出现的原因. 图1　在用HCl系腐蚀液腐蚀InGaP时出现的腐蚀“岛”　(a)数码相机照片;(b)电镜照片 Fig.1　“Island”formationnearbytheemittercontactasIn2GaPlayerisetchedinHClsolution　(a)Digitalcamerapic2ture;(b)SEMpicture 液的温度为50℃时,重复上述实验,观察到类似的结果,所不同的是腐蚀时间为20s时,腐蚀液的温度高时样品表面的“岛”小.在腐蚀时间为5s之内已经腐蚀到基区,可腐蚀时间为20s时发射极周围仍有岛”,这说明此时发射极周围仍有In0.49Ga0.51P存在,也说明发射极金属