砷化镓未来在手机PA市场发展潜能.docVIP

砷化鎵未來在手機PA市場的發展潛能砷化鎵未來在手機PA市場的發展潛能 砷化鎵未來在手機PA市場的發展潛能(上) 〈主筆室〉 為了迎接數位化(digitization)時代來臨，通訊成為台灣未來產業發展的主角，其中無線、光纖通訊的蓬勃發展更是帶動了通訊產業的起飛，砷化鎵元件產業也因此逐漸崛起，成為國內熱門的科技產業。特別在行動電話上，砷化鎵的耗量低，比矽晶片更優秀，成為行動電話中的核心零件。此外，由於砷化鎵半導體的頻率範圍高達2-300GHz，在未來配合LMDS、VSAT等微波、毫米波通訊上的發展趨勢，砷化鎵將有更大的發揮空間。 砷化鎵介紹與矽特性比較 曾幾何時，矽晶圓由於其原料取得容易、元件製程穩定的特性，較易製做出便宜、高整合性及均一性的元件，而成為大部份積體電路用的晶圓。然而隨著無線通訊對「高頻化」要求提高，其特性已無法滿足，相對於砷化鎵材質特性而言卻找到了發揮空間。 砷化鎵是ⅢⅤ族化合物半導體的一種，是目前商業化腳步最快、應用範圍最廣的材料，它除了適合製作高亮度紅光及紅外光LED、長短波長LD、垂直面射型雷射(VCSEL)之外，另外高頻微波元件則可應用在微波及毫米波通訊市場。 砷化鎵材料比矽具有優點如下： 1).高電子的傳輸速度，因而可操作頻率範圍可達2~300GHz(矽1GHz以下)。 2).能階(bandgap)較寬，故半絕緣性的基板較易獲得，使得電子移動速度更快。另外，元件的製成也易達到耐高電壓的特性。 3).砷化鎵操作溫度範圍可達攝氏200度，不會因高溫所產生的熱能而影響元件可靠性。 4).高抗輻射性，不易產生信號失真及錯誤情形。 5).對於微波高頻元件績效而言，砷化鎵產生的雜訊值低、功率耗損小、功率轉換效率(PAE)高、增益值大、線性度佳、元件面積小等特性，適合通訊設備中的各項產品。 6).具有光能特性，砷化鎵屬化合物半導體，其電子與電洞是採「直接復合」方式，復合過程中以光的形式釋出，因此適合發光二極體(LED)、雷射二極體(LD)等方面用途。 綜合以上的砷化鎵與矽特性比較來看，以矽而言在於成本低、製程成熟，故在積體電路應用能保有其優勢；而對砷化鎵而言，其特性具「輕簿、省電、快速、發光」則適合高頻及光電元件製作。 砷化鎵的製程 依砷化鎵半導體結構上的不同，可分為二端接腳元件─「二極體」與三端接腳元件─「電晶體」，而應用上則分為光電元件及微波元件。「光電元件」生產過程是砷化鎵為基板，在基板上成長不同厚度的材料薄膜，再依LED、LD元件結構需求製作LED晶粒，最後依不同應用封裝成各種產品。「微波元件」生產過程則與矽類似，不過多了一道磊晶的過程，其產業的供應鏈可分為磊晶、設計、光罩、製造、封裝、測試，最後製成分離元件(discrete devices，如HBT,PHEMT,MESEFT電晶體)或砷化鎵積體電路(GaAs IC)。 生產磊晶片技術有液相磊晶(LPE)、分子束磊晶(MBE)、有機金屬氣相磊晶(MOCVD或MOVPE)等方式。LPE主要用於發光二極體(LED)成長上，其技術不能達到微波元件的要求。MOVCD、 MBE為目前砷化鎵微波元件上的磊晶技術， MOCVD優點具有大量生產能力，但為化學反應方式易產生高溫，無法臨場觀察，造成參數控制不易，難獲得高品質微波元件。MBE為物理反應方式，參數較能掌握，缺點則是機台要抽真空，每年有一個月不運轉期，且新運轉後的磊晶品質也較差。另外，在4吋轉換生產6吋磊晶晶圓的成本上，MOCVD(1.15倍)的成本也較MBE(2.25倍)低。一般而言，MOCVD 適合生產HBT元件，而MBE技術大多生產PHEMT元件。 依據Stategy Analytics統計(如圖一)，1999年GaAs用MOCVD生產約超過200萬美元其中有89%是賣出在市場上，主要生產地區為日本佔60%、北美佔33%，日本廠商包括Furukawa Electric、Hitachi cable、ASEC等，而美國廠商則有Kopin、Aixtron、IQE、Emcore等。MBE生產約170萬美元其中賣出市場僅佔51%，主要生產地為北美62%、日本佔26%，美國廠商包括IQE、TRW等、日本則以Sumitomo Chemical為代表廠商，另外，MBE生產廠商包括法國Picogiga、新加坡MBE Technogy及台灣博達等廠商。根據預測GaAs磊晶產值在