5版ch–3逻辑门电路.pptVIP

3.1.9 NMOS 逻辑门电路 NMOS逻辑门电路全部由N沟道MOSFET构成。 （a）实际电路 1. NMOS反相器 负载管T2 总是工作在它的恒流区，处于导通状态。 NMOS门的基本构件，工作管常用增强型，负载管可用增强型或耗尽型 工作管 负载管 （b）简化电路 υI ＞VT , T1导通 ; υO ≈＋1V. υI ＜ VT , T1截止 ; υO = VDD－VT. 负载管导通电阻是随工作电流而变化的非线性电阻 2. NMOS或非门 1). 功能表 (真值表)： 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 0 A B L 2). 逻辑表达式 或非门的工作管都是并联的，增加管子的个数，输出低电平基本稳定，主要用于大规模集成电路。 BJT的开关特性 （NPN型） 3.2 TTL逻辑门电路 3.2.1 BJT的开关特性 1. BJT的开关作用 表3.2.1 NPN型BJT截止、放大、饱和工作状态的特点 工作状态 截 止 放 大 饱 和 条 件 工 作 特 点 偏置情况 发射结和集电结 均为反偏 发射结正偏， 集电结反偏 发射结和集电结 均为正偏 集电极电流 管压降 c、e 间 等效内阻 很大，约为数百 千欧，相当于开 关断开 可 变 很小，约为数百 欧，相当于开关 闭合。 且不随 增加而增加 2. NPN型BJT饱和时各电极电压的典型数据 3. BJT的开关时间 BJT开关电路的波形 1). 延迟时间 2). 上升时间 3). 存储时间 4). 下降时间 BJT 的开关时间参数: 开 关 时 间 参 数 1). 延迟时间 2). 上升时间 3). 存储时间 4). 下降时间 BJT 的4个开关时间参数： 开通时间（截止到饱和） 关闭时间（饱和到截止） BJT 的开关时间: （几十至几百ns） 它们都是以集电极电流 的变化为基准的。 BJT 的开关时间限制了BJT的开关运用速度。 BJT 开关速度受限制的原因： 1) BJT基区内电荷的存入和消散需要一定的时间； 2) 基本反相器接电容性负载 . BJT器件和 的影响导致 BJT反向器开关速度不高。 带 的BJT反相器如图： 改善动态性能，增加元件 动态性能不理想 3.2.2 基本BJT反相器的动态特性 由 T2 组成的中间级作输出级的驱动电路 输入级 中间级 输出级 将T2的单端输入信号转换为互补的双端输出信号 TTL反相器 3.2.3 TTL反相器的基本电路 为改善基本BJT 反相器的动态性能，增加若干元件， 构成BJT 反相器基本电路 电路由三部分组成 1. 工作原理 当输入vI =VIL= 0.2V时， T1的be结导通， T2、T3截止，T4、D导通， vB1 = VIL+ VBE1 = 0.9V， vO =VOH≈VCC – VBE4 – VD = 3.6V. 当输入vI =VIH= 3.6V时， vB1 = VBC1+VBE2 +VBE3 = 2.1V，T1 倒置放大. T2、T3饱和导通， vC2 = VCES2 +VCES3 = 0.9V， vO = vC3=VCES3= 0.2V. 0.2 0.9 3.6 2.1 T4,D截止 ◆ 采用输入級以提高工作速度. 输入电压由高（3.6V）变低（0.2V）. T1放大状态， T2迅速脱离饱和进入截止. T4立刻导通. T3集电极电流加大，迅速截止 . ◆ 采用推拉结构提高开关速度和带负载能力 a. 输出为低电平时, T3的集电极电流可全部用来驱动负载. b. 输出为高电平时, T4组成电压跟随器， 输出电阻小,带负载能力强. 输出电压由高变低后， 很快放电。 输出电压由低变高后， 迅速充电； c. 输出端接有负载电容 输出电压波形的上升沿和下降沿都很好。 降低静态功耗 1. 与非门电路（典型） TTL与非门电路 3.2.4 TTL逻辑门电路 输入级：多发射极BJT b c 作用：与功能、提高门速度. 当输入有低电平时（0.2V）， vB1=0.9V，vO=3.6V. 输入全为高电平时（3.6V）， T1倒置放大，vO=0.2V. 1. 集电极开路（OC）门电路 OC门是指TTL门电路的输出级 BJT管的集电极开路. （普通TTL门不能线与） 3.2.5 集电极开路门和三态门电路 删去电压跟随器 OC门的输出级电路： OC门可承受较高电压、较大电流