一种具有过温和短路保护的低压LDO设计研究.docVIP

　　一种具有过温和短路保护的低压LDO设计研究 摘 要:在分析各种低压LDO结构的基础上,设计了一款新型的基于0.18 μm CMOS工艺的LDO低压降线性电压调整器。该LDO电路采用了折叠低压带隙和折叠共源共栅结构的运放,采用密勒补偿以保证整体LDO的稳定性。具有很低的输入/输出电压差、超低的静态电流,良好的负载调整能力、线性调整能力和良好的电源抑制特性,此外,还具有过温保护和短路保护电路,保证电路的安全工作。该电路配以简单外部设备即可为各种电子产品提供灵活、高效、可靠的电源解决方案,大大降低了设计成本。关键词:低压LDO; 低压带隙; 误差放大器; 过温保护; 短路保护 　　中图分类号:TN710-34Avd-gM1(r//ro9)(6) 　　式中:rro7+(ro2//ro5)(1+gMro7),输出级的电压增益为: 　　Avs-gM11(ro10//ro11)(7) 　　电路的总增益为: 　　Avo=AvdAvs=gM1gM11(r//ro9)(ro10//ro11)(8) 　　P型扩散层用于所有的电阻,在带隙结构中,设置M=1,则晶体管MP1,MP21和MP31中的电流相同,漏源电压也相等,与电源电压的大小无关。因此,需要一个温度系数比较低的VBG可以由温度系数较低的电阻R4上的压降获得。 　　图2 低压带隙中使用的NMOS阵列的OTA 　　1.1.3 启动电路 　　针对上述的低压带隙结构提出了一种启动电路,如图3所示。低压带隙电路上电时,可能进入两个状态,一是正常工作状态,另一个状态是VP和VN为低电平,误差放大器的输入管关断,VC为高电平,MP1,MP2,MP3关断,整体电路停止工作。 　　启动电路的作用是要确保电路上电后正常工作,整个电路停止工作时,VP的电压低于NMOS的阈值电压,启动电路开始工作,VP是低电平,这会使M23关断,从而使M17 ~M22开启,将VP电压的拉升上去,使带隙进入工作状态。此时VP为高电平,M23开启, M17 ~M22关断,此时,启动电路对正常工作的带隙基准电路不产生影响。 　　图3 适用于低压带隙的开启电路 　　1.2 误差放大器的设计 　　反馈电压和带隙的基准电压作为误差放大器的输入。误差放大器第一级是折叠式共源共栅结构,目的是获得较高的增益,而且输入共模电平可以设置的很低。第二级电路采用了源跟随器,目的是调节输出共模电平。I98和MC作为密勒补偿,I119和I120用于消除共轭极点,用于保证良好的稳定性。如图4所示。 　　图4 低压误差放大器 　　1.3 过温保护电路和短路保护电路 　　1.3.1 过温保护电路 　　过温保护电路如图5所示。VP信号的电压值是二极管的导通电压,具有1.8 mV/℃左右的负温度系数,因此,随着温度上升它会不断降低。而VN信号几乎不随温度变化。 　　图5 过温保护电路 　　比较器的作用是比较两个模拟输入信号而产生一个二进制的输出。当正负输入差值为正时,输出为高电平;当正负输入差值为负时,输出为低电平。比较器的两个重要参数是精度和速度。精度决定了实现输出状态改变所需要的最小输入变化量,它主要由比较器的开环增益决定;速度反应的是输入激励到输出响应之间的时延。比较器的具体电路如图6所示[6-7]。 　　1.3.2 LDO的稳定性和补偿 　　LDO是一个负反馈的系统,往往存在稳定性的问题。在LDO应用过程中,为了得到稳定可靠的输出,LDO的环路必须要被仔细的设计,避免输出产生振荡。在环路中加入几个被精心设计的极点以及零点,使LDO在环路在不同的使用条件下都能满足足够的相位裕度。 　　图7(a)中节点1,2,3处都存在一个极点。如果误差放大器由多极构成,其内部也存在极点,但一般可以通过放大器内部的 miller补偿解决。为了提供足够的电流,导通部件的面积一般较大,相应地,节点1处的寄生电容也较大,所以节点1处的极点工艺,所用到的器件主要有:NMOS,PMOS,P+POLY电阻,Metal1-Metal2电容以及PNP管。其中PNP管是CMOS工艺中寄生的纵向PNP,LDO整体电路的版图可分为带隙基准、运放、比较器等几个主要模块,其中大电阻位于两侧,MOS电容位于右下方。整体版图如图11所示。 　　图10 LDO的整体结构图 　　图11 LDO整体电路的版图 　　2.3 LDO整体架构的仿真 　　根据各个模块的设计指标和整体的功能要求,利用HSPICE CMOS 0.18 μm工艺库对整体电路的各种主要性能进行了详细的仿真,为了获得较好的整体性能,各个设计指