半导体传感器物理基础–2.ppt

半导体中的导电作用应该是电子导电和空穴导电的总和。 半导体中的载流子在电场作用下作漂移运动。 4、载流子的迁移率与电导率 1）载流子的迁移率 电子的平均漂移速度 一秒种内通过导体某一截面的电子电量就是电流强度； 电流密度是通过垂直于电流方向的单位面积的电流。 n：电子的浓度 平均漂移速度的大小与电场强度成正比 则 μ：电子的迁移率，习惯取正值 表示单位场强下电子的平均漂移速度 单位是m2/V·s 或者cm2/V·s 总电流密度J 两式相比可以得到半导体的电导率 un：电子迁移率 up：空穴迁移率 Jn：电子电流密度 Jp: 空穴电流密度 n：电子浓度 p：空穴浓度 对于两种载流子浓度相差很悬殊而迁移率差别不太大的杂质半导体来说，它的电导率主要取决于多数载流子。 N型半导体 P型半导体 本征半导体 不同半导体材料， 、 不同 即使是同一种材料中， 和 也不同， 一般来说 意义：平均自由时间愈长，或者说单位时间内遭受散射的次数愈少， 载流子的迁移率愈高；电子和空穴的迁移率是不同的，因为它们的平均自由时间和有效质量不同。一般电子迁移率大于空穴迁移率。 散射几率: P：表示单位时间内一个载流子遭受散射的次数。 P↑ → 散射作用强，平均自由时间短； P↓ → 散射作用弱，平均自由时间长。 2）散射 半导体的主要散射机构 晶格振动散射 说明：T↑→晶格振动越强烈→对电子的散射几率P↑→l（平均自由路程）↓→μ↓ 晶格振动散射随温度升高而增强，随着温度升高这种散 射越来越重要。 推广到三维： 是半导体晶体的线度 K空间中的状态分布 其中 一个k对应于电子的一个能量状态(能级)； k空间中每个状态点所占的体积为 。 k空间中，一组整数 所决定的一个点，对应于一定的波矢k ，是该点电子的一个允许能量状态的代表点。 K空间中，沿[100]方向记作Δ， 沿[110]方向记作 沿[111]方向记作 每个能带所对应的k 的取值范围都是 而在k空间每个状态点所占有的长度为 ， 因此，每一能带中所包含的（状态数）能级数为 每个布里渊区有N个k值 半导体中电子运动 有效质量 半导体中E(k)与k的关系 设能带 底位于k=0处，在此处进行泰勒展开 考虑到第二项为0，则 定义能带底有效质量 能带底附近E(k) 同理能带顶有效质量 能带顶部附近E(k) 能带底有效质量为正值，能带顶的为负值 实际的三维情况下 k空间如图所示 k空间任一矢量代表波矢k （1） 当E(k)为确定值时，多组不同的(kx,ky,kz)构成一个封闭的曲面，在这个面上能值相等，称等能面 （1）式等能面是半径为 的一系列球面 对于各向异性的晶体，E(k)与k的关系沿不同k方向不一定相同 不同k方向电子有效质量不同，能带极值不一定位于k＝0处 硅的导带结构 共有六个旋转椭球等能面,电子主要分布在这些极值附近 设 是第S个极值所对应的波矢，S＝1、2、…、6，极值处能级为Ec，则 砷化镓的能带结构： ?导带极小值位于布里渊区中心k＝0处,等能面为球面,导带底电子有效质量为0.067mo ?在111方向布里渊区边界还有一个导带极小值，极值附近的曲线的曲率比较小,此处电子有效质量比较大,约为0.55mo 它的能量比布里渊区中心极小值的能量高0.29ev。 ?价带结构与硅、锗类似。室温下禁带宽度为1.424ev。 2.3 载流子浓度 载流子 参与导电的电子和空穴统称为半导体的载流子。 载流子的产生 本征激发 电子从价带跃迁到导带，形成导带电子和价带空穴； 杂质电离 当电子从施主能级跃迁到导带时产生导带电子； 当电子从价带激发到受主能级时产生价带空穴 载流子的复合 在导电电子和空穴产生的同时，还存在与之相反的过程，即电子也可以从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，并向晶格放出一定的能量。 热平衡状态 在一定温度下，载流子产生和复合的过程建立起动态平衡，即单位时间内产生的电子-空穴对数等于复合掉的电子-空穴对数，称为热平衡状态。 这时，半导体中的 导电电子浓度和空穴浓度都保持一个稳定的数值。处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 1 、导带电子浓度（单位体积的电子数）