7.4离子晶体的点缺陷及导电性案例.pptVIP

第 四 节 离子晶体的点缺陷及导电性 本节主要内容： 7.4.1 离子晶体的点缺陷 7.4.2 离子晶体的导电性 §7.4 离子晶体的点缺陷及导电性 7.4.1 离子晶体的点缺陷 本节我们讨论热缺陷在外力作用下的运动。对于离子晶体而言，离子导电性就是由于热缺陷在外电场作用下的运动引起的。 在此，我们只讨论典型的A+B-离子晶体，如图所示。 正空格点 离子晶体中的缺陷 正填隙离子 负空格点 + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - 负填隙离子 晶体中有四种缺陷，A+填隙离子， A+空位，B-填隙离子和B-空位。由于整个晶体是保持电中性的，因此，对于其中的肖特基缺陷，正负离子空位的数目是相同的； 对弗仑克尔缺陷则含有相同数目的正、负离子空位和正、负填隙离子。 正空格点 离子晶体中的缺陷 正填隙离子 负空格点 + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - 负填隙离子 7.4.2 离子晶体的导电性 a (a) E2 (b) (a)填隙离子沿虚线运动； (b)无外场； (c)有外电场ε。 在没有外电场时，这些缺陷作无规则的布朗运动，不产生宏观的电流。 当有外电场存在时，这些缺陷除作布朗运动外，还有一个定向的漂移运动