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第二章 薄膜材料
第二章 薄膜材料 本章主要内容 近几年,有机电致发光(OLED和PLED)元件、有机太阳能电池、液晶 及有机导电材料等的研究开发十分活跃。与此相关,有机、聚合物薄膜 越来越受到广泛关注。本节中先概述有机、聚合物薄膜的制作方法及其 特征,讨论由这些方法所获薄膜的功能原理及相关特性,再介绍实际应 用的元器件等。 一般说来,有机、聚合物薄膜的制作方法大体上分成两大类一类是 利用液相的湿法工艺,另一类是利用气相的干法工艺。 有机EL元件是由一方的电极注入电子,由另一方的电极注入空穴,电 子与空穴在有机发光层中发生复合的注入型元件。 1969年有人发现,合成高分子材料聚偏二氟乙烯(PVDF)膜层具有 压电性,以此为契机,有关合成高分子材料压电性、热释电性的研究, 在世界范围内展开。 所谓感光功能材料,是指受可见光或紫外光等光能作用而发生化 学、物理变化的材料。伴随着半导体元件的高集成度化,电路图形的 特征尺寸已从亚微米进入0.25μm、0.13μm,到2004年甚至达到了 0.07μm,照射光也从紫外线改变为准分子激光、X射线、电子束等。 为了形成精细的图形,相应的感光材料是必不可缺的。 日常使用的气体设备、管路等都离不开控制气体通、断,以及调节 流量的气阀。气阀的关键部件是阀芯。阀芯表面可采用蒸镀聚合法沉积 一层合成聚对二甲苯树脂薄膜或聚酰亚胺薄膜。 从混合气体(或液体)中,仅使需要的成分透过,可进行分离、精 制、浓缩等,具有广泛应用。这种选择渗透功能是所有有机高分子膜所 共有的,但因聚合物膜的分子结构、形状不同,选择渗透性有很大差 别。 四、功能性陶瓷薄膜材料 溅射镀膜中N2分压对Ta-N膜的电阻率及电阻温度系数的影响 随着N2分压增加,依次按β-Ta,β-Ta + α-Ta,α-Ta+N2,α-Ta+Ta2N,Ta2N+TaN,TaN次序变化。在含有Ta2N的区域,膜层的电阻率大,TCR接近零,而且特性偏差小,阻值的经时变化小。因此,处于该区域的材料适于制作电阻膜。 四、功能性陶瓷薄膜材料 (3) 介质薄膜材料 常用的介质薄膜材料 四、功能性陶瓷薄膜材料 (4) 声表面波元件薄膜 声表面波(SAW)是一种弹性波,这种波在压电材料表面上产生与传播,其振幅随深入材料深度的增加而迅速减小 典型膜分析:ZnO为六方点阵,纤锌矿结构。为获得优良的压电特性,生成膜的c轴应垂直于玻璃等非晶态基板的表面,而且其电阻率越大越好 为保证ZnO膜溅射沉积的最佳条件,其基板温度与成膜速率的关系 四、功能性陶瓷薄膜材料 (5) 传感器薄膜 气体传感器要求其对气体中含有的微量气体成分敏感,并发生与 该气体浓度相对应的电气信号或光信号 半导体气体传感器是利用半导体各种特性(电阻、整流作用等)的 变化来进行气体检测。 温度传感器一般是利用热释电效应,即因温度变化引起自发极 化强度发生变化而产生表面电荷的效应 半导体温度传感器——热敏电阻温度传感器。采用SiC膜的热敏电 阻由射频溅射法制作。这种薄膜温度传感器的热响应速度 很快,时间常数为0.05s,已成功用于气温传感器、液温 传感器、表面温度传感器等 四、功能性陶瓷薄膜材料 (6) 超导膜 陶瓷超导薄膜计类型 BI型化合物膜、3元系化合物膜、高温铜氧化物膜 氧化物超导膜的特性实例 四、功能性陶瓷薄膜材料 光电子薄膜材料 光波导膜:光通信及光信息处理中,都离不开半导体激光器、光开关、 光分路器、光合路器等。为提高这些元器件的工作效率, 需要将光封闭于薄膜之中,称这种薄膜为光波导。 电致发光膜:是指在荧光体上施加106V/cm左右的强电场,由于电子 加速碰撞荧光体被激发而在复合时产生发光的现象 实用型薄膜EL显示屏的断面结构 电致变色(EC)材料:是通过电化学反应,利用生成氧化体和还原体色相 的差异,其颜色可发生变化的材料。 四、功能性陶瓷薄膜材料 信息薄膜材料 在半导体存储器中的应用 在光盘中的应用 在光磁盘中的应用 在磁记录中的应用 四、功能性陶瓷薄膜材料 能量变换材料 热电变换的三种模式 塞贝克效应:将异种金属M1、M2在两点相接触,使两点间产生ΔT的温差,则会产生温差电动势 热电元件薄膜化的优点主要有: ①降低材料的使用量; ②增大实际的热交换面积;
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