第6章 材料的电学性能-2.pptVIP

当两方面在一定温度和场强下达到平衡时，电介质有一定的电导。 电介质中也有自由电子——来源于杂质、缺陷能级以及价带。在强电场下由于冷发射或热发射固体导带中也会存在一些电子。 碰撞电离理论 强电场下由于冷发射或热发射固体导带中存在一些电子，被外电场加速，同时与晶格振动相互作用加剧晶格振动把能量传给晶格。 若电子从电场获得的能量大于损失给晶格振动的能量，其动能越来越大，直至增强到使晶格电离出新电子，自由电子数迅速增加，发生击穿。 A(E, E0)=B(T, E0) 其中A(E, E0)为电子从电场中获得能量的速率； B(T, E0)为电子损失给晶格的能量的速率；E为电场强度；E0为电子的能量。 在外电场E下，电介质电导率?引起单位时间单位体积中产生?E2的焦耳热。如果这些热量不能及时导出，就会使材料的温度升高，达到某一临界值Tc，当电场强度达到临界值Ec时，自由电子足够多，就发生了击穿。 根据碰撞电离理论发生本征击穿的临界条件为 热击穿理论 ——用碰撞电离理论描述电子的行为，而以热击穿作为击穿的判据。 雪崩式击穿理论 ——击穿的最初机制是场发射或离子碰撞。场发射是由于来自价带的电子因隧道效应进入缺陷能级或进入导带，导致传导电子密度增加。 当电场强度非常强时传导电子发射几率足够高，隧道电流增长导致电介质温度升高到一定温度引起介质隧道击穿 赛兹(Seitz)提出电子传递给介质的能量足以破坏晶格结构时就发生击穿，并计算出当自由电子密度达到1012/cm3时其总能量就足以引起击穿。 当一个电子游离开始与晶格和其他电子碰撞，一个游离电子可变成两个游离电子，这两个游离电子经再次碰撞又会变成4个，依此类推，即发生了“雪崩”。经过n次碰撞一个游离电子变成2n个，当2n=1012个时就会发生击穿。 此时n?40，即1cm内电离达到40次电介质就击穿了——这一理论又称为40代理论。 如果电介质很薄，达不到电子平均自由程的40倍，碰撞电离未达到第40代时电子雪崩系列已经进入阳极复合，介质就不会击穿——薄层电介质击穿电场高。 一种双层材料，其厚度、介电常数、电导率分别为d1、?1、?1和d2、?2、?2，垂直于厚度方向施加直流电压U 2 实际材料的击穿 实际材料中存在缺陷、宏观不均匀、多相复合等情形，形状变化、外部冷却等也引起散热条件变化，导致击穿的机制变化 两层可看成串联，所承受的电场强度分别为 所以电导率小的介质承受较高的场强。 其中 为平均电场强度。 如果电导率相差较大，则作用于其中一层的电场强度远大于平均电场强度，可能导致该层优先击穿。随后全部电压都作用于另一层上，使其电场强度升高，从而导致整个介质的贯通击穿。 ——介质的宏观不均匀性导致其击穿强度降低 陶瓷材料：晶相和玻璃相的不同分布可看成多层介质的串联和并联。 陶瓷和高分子材料——存在气泡，其介电常数和电导率都很小，承受的电场强度很高，其本身的击穿强度一般比固体介质低得多。 ——气泡在高压作用下首先击穿，引起局部放电，产生大量正、负离子，即发生内电离，放出大量热量，导致整个材料热击穿。 温度升高形成的热应力也易使材料丧失机械强度而破裂，因此这种击穿常称为电－机械－热击穿 即使局部放电不立即导致机械破坏，也会引起材料的老化而降低击穿强度，使材料在随后的局部放电过程中被击穿。 材料的表面状态不良也会引起击穿强度降低。 固体电介质与电极表面接触不好、吸湿——表面周围的气体优先击穿而放电，产生的电火花和热量会导致表面老化，降低击穿强度。 电极设计不合理——电极边缘的电场强度高于平均电场强度，局部散热条件差——局部优先击穿最后整体击穿。 措施：用变压器油（介电常数、电导率、击穿强度均高）包围介质、在陶瓷表面施釉、合理设计电极形状。 ——实际击穿的原因很复杂，难于判断其具体击穿形式，因此实际在高频、高压下工作的电介质要进行耐压试验。 * * * 固体对外电场的响应： 导体或半导体——载流子浓度大，载流子在外电场的作用下作长程定向迁移 绝缘体：载流子浓度很低，在外电场的作用下一般看不到宏观的载流子长程定向迁移，但会产生沿电场方向的电偶极矩或原来电偶极矩在外电场作用下改变，称为极化 电介质：在外电场作用下可以产生极化的物质。 1 极化的概念 普通物理：真空平板电容器存储的电量 Q=qA=?0EA= ?0VA/d q：单位面积的电荷数，即电荷密度；A：平板的面积；E：电场强度；?0：真空中的介电常数；d：平板间距；V：平板间的电压。 所以真空平板电容器的电容 法拉第(M. Faraday)发现，将一种绝缘体(电介质) 插入两极板之间时，电容器的电容增加 ?r称为该材料的相对介电常数，?=?r?0称为材料的介电常数。 电容增加的原因：电介质在电场