氧气通量对反应溅射法制备HfO.docVIP

Advances in Condensed Matter Physics 凝聚态物理学进展, 2013, 2, 12-16 /10.12677/cmp.2013.21003 Published Online February 2013 (/journal/cmp.html) Effect of O Flux on the Growth Process of HfO Thin Films 2 2 Deposited by Reactive Sputtering* Yutong Yang, Wu Tang # State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu # Email: tang@ Received: Jan. 9 , 2013; revised: Jan. 13 , 2013; accepted: Jan. 28 , 2013 th th th Abstract: HfO thin films are deposited by reactive sputtering under atmospheres composited by various ratios of oxy- 2 gen and argon. The chemical composition of the HfO thin films is tested by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). 2 The surface morphology of the HfO thin films is characterized by atomic force microscopy (AFM). Effect of various 2 O flux on the chemical composition, structure, and surface morphology in the growth process of HfO thin films is 2 2 studied in the view of thin film growth mechanism. And results show that improving O flow rate can optimize the 2 stoichiometric, amorphous structure and surface morphology of HfO films. 2 Keywords: HfO Film; RF Magnetron Reactive Sputtering; XPS; AFM 2 氧气通量对反应溅射法制备 HfO薄膜生长过程的影响* 2 杨宇桐，唐 武# 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 Email: tang@ # 收稿日期：2013年 1月 9日；修回日期：2013年 1月 13日；录用日期：2013年 1月 28日 摘 要：利用金属 Hf与氧气反应溅射制备了 HfO 薄膜，采用 X射线光电子能谱分析(XPS)、原子力显微镜(AFM) 2 等手段对薄膜的组成成分以及表面形貌进行了分析表征，并从薄膜生长机理角度研究了氧气的通量对于 HfO2 成膜过程的影响，得到了氧气通量的增大能使 HfO 薄膜的化学配比、非晶结构和表面形貌得到优化的结论。 2 关键词：HfO 薄膜；射频磁控反应溅射；XPS；AFM 2 1.引言 料替代 SiO 是目前最有希望解决此问题的途径。采用 2 这种材料可以在不增加电学厚度的前提下允许增加 绝缘层厚度，进而能够降低漏电流。由于使用高 K栅 介质，在保持单位面积电容不变的同时栅介质可以有 半导体集成电路的发展对集成电路的密度和性 能提出了更高的要求，典型的 CMOS器件栅介质薄膜 的厚度变得越来越薄，并开始逐渐接近原子间距，由 于栅介质氧化层的直接隧穿而引起的泄漏电流和静 比较大的厚度，从而有可能避免出现在超薄 SiO 中由 2 隧穿导致的漏电问题。由于 Hf的金属氧化物(主要是 态功率损耗随之显著增加。因此，传