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54 传感器与微系统 (TransducerandMicrosystemTechnologies) 2012年 第3l卷第 1O期 AE效应对磁弹性传感器的影响与分析 周进波 ，谢志鹏 ，杨唐胜 (湖南大学 电气与信息工程学院，湖南 长沙 410012) 摘 要：分析了磁弹性传感器共振频率的测量原理。主要分析直流偏置磁场变化对共振频率测量的影 响，提出了传感器尺寸和最佳直流偏置磁场的对应关系。通过实验得出AE效应对传感器共振频率测量 准确性的影响。 关键词：磁弹性传感器；共振频率；△E效应 中图分类号：TP212．3 文献标识码：A 文章编号：1000-9787(2012)10-0054-03 InfluenceandanalysisofAE effecton magneto-elasticsensor ZHOUJin—bo，XIEZhi—peng，YANGTang—sheng (SchoolofElectricalandInformationEngineering，HunanUniversity，Changsha410012，China) Abstract：Themeasurementprincipleofresonancefrequencyofmagneto—elasticsensorisanalyzed．Theinfluence ofDC—biasmagneticfield changeonmeasurementofresonancefrequency isanalyzed，therelationship between sensorsizeandoptimalDC—biasmagneticfieldisproposed．Theexperimentshowstheinfl uenceofAE effecton measurementaccuracyofresonance~equencyofsensor． Keywords：magneto—elasticsensor；resonance~equency；AE effect 0 引 言 1．1 磁弹性传感器理论基础 铁磁材料在中频段 (10 一10Hz)可能会出现尺寸共振 对于一个带状磁弹性传感器来说，将其放置在 平 或磁一力耦合共振 ，其共振频率不仅与材料性质和材料尺寸 面，长度方向平行于y轴，宽度方向平行于z轴，在平行于 有关，还受外部环境 的影响，如，温度 、压力 、粘度 y轴方向的中频段交变磁场作用下，传感器产生磁致伸缩 等。利用铁磁材料的磁力耦合共振频率受外部环境的影响 效应 ，其中，y轴方向的位移变化用微分方程表示如下 而改变的特性，可制作各种传感器。为了消除传感器材料 P 0t。 一：去 ， (1) 的各向异性，必须外加一个直流偏置磁场 。 p(1__0-2) ’ 外加的直流偏置磁场变化可引起传感器弹性模量 E 式中 P为传感器材料密度，u 为在 y轴方 向上的伸缩位 的变化，即AE效应。△ 效应导致磁弹性传感器的共振频 移，E为杨氏弹性模量 ，盯为泊松比。方程的解为带谐波 率和振幅发生变化。本文分析研究了磁弹性传感器共振频 分量的正弦振荡曲线，谐振频率可以由式 (2)给出(Landau 率的测量原理，并通过对磁弹性传感器的测试 ，分析了AE andLifshitz，1986) 效应对于传感器共