基于切割成型的侧壁表面压阻制作及其参数优化.pdfVIP

第26卷 第2期 传 感 技 术 学 报 V0l_26 No．2 2013年 2月 CHINESEJOURNALOFSENSORSANDACTUATORS Feb．2013 CuttingandShaping-BasedSidewallSurfacePiezoresistorFabrication andItsParametersOptimization SONGFang ． ⅣGJiachou (1．LaboratoryoflntelligentControlandRobotics，ShanghaiUnivemi~ofEngineeringScience，Shanghai201620，China； 2．StateKeyLaboratoryofTransducerTechnology，ShanghaiInstituteofMicrosystemandInformationTechnology，Chineseacademy ofSciences．Shanghai200050．China) Abstract：Inordertoimprovethedisplacement(ormechanicalsigna1)detection sensitivityfortheMEMS implementation devicesmoving in planeand improve the compatibilitybetween the fabrication ofthe sidewall detectionpiezoresistorandotherfabricationprocessesanditsapplicationinthedifferentMEMSdevicestructures，a novelverticalsidewallsurfacepiezoresistancefabricated with the ion implantation technology and silicondeep reactiveionetching(DRIE)isproposed．Additionally，variousfactorsaffectingthedisplacementsensitivityand resolutionareanalyzedindetail．Andthen，thesidewallpiezoresistorstructuredimensionsanditsfabricationprocess parametersareoptimized．Finally，theeffectiveapplicationsoftheve~icalsidewallsurfacepiezoresistorindifferent typicalMEMSdevicesaregivenandgoodapplicationresultshavebeenachieved． Keywords：MEMS；DRIE；sidewallsurfacepiezoresistor；displacementdetection；parametersoptimization EEACC：7230，0170G doi：10．3969／j．issn．1004—1699．2013．02．008 基于切割成型的侧壁表面压阻制作及其参数优化术 宋 芳 ，王家畴 (1．上海工程技术大学机器人智能控制及功能设计实验室，上海 201620； 2．中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室，上海 200050) 摘 要 ：为了提高MEMS执行器件对面内运动位移(或力学信号)检测的灵敏度并改善侧壁检测电阻制作工艺与其他工艺及 其不同器件结构之间的兼容性问题，提出一种基于离子注入工艺和深度反应离子刻蚀 (DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压 阻的方法。在此基础上，详细分析了影响位移检测灵敏度和分辨率的各种因素，并对侧壁压阻的结构尺寸及其工艺参数进行 优化。最后，给出了侧壁表面压阻在几种不同类型典型MEMS执行器件