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一种新的单端输入迟滞比较电路.pdf
第36卷第1 期 华中科技大学学报(自然科学版〉 VoJ. 36 No.l
2008年 1 月 J. Huazhong Univ. of Sci. .丁ech. (Natural Science Edition) Jan. 2008
…种新的单端输入迟滞比较电路
卸雪城食起刘政林戴逸飞
(华中科技大学电子科学与技术系，湖北武汉 430074)
摘要z 设计了一种结构特殊的迟滞比较祷，咆路为单端输入，翻转咆1li以及迟栅电压均由电路内部产生，通过
对电路内部的参数调节即可改变翻转咆压和迟滞电压的具体值嗣电路自身具有一个结构简单的电流源产生
电路，不需要从外界获取偏置电压、仅由电糠供电，因此有很强的独立性.通过 O. 6μmCMOS 工艺来实现
HSpice 仿真结巢表明:在 3V 的工作电压下翻转电平可设置在 100-240 mV 之间，迟滞电压能稍确到 5mV，
幌态响应时间小子 1ρ.
关 键询:比较器电路s 迟滞s 翻转阀值;正反馈
中阁分类号2 丁N402 文献标识码:A 文章编号: 1671-4512(2008)01翩。019翩。3
An original singl e-ended input hysteresis comparator
Zou Xuecheng Zhan Chang Líu Zhenglin Dαì Yífei
(Department of Electronics Science and Technology , Huazhong University of
Science and Technology , Wuhan 430074 , China)
Abstract: A hysteresis comparator with a special structure was designed , in which the threshold volt-
age was generated by the circuit itself but not from an input channel as usual and there was also a posi-
tive feedback branch in this circuit to create a lagging voltage. Both the threshold and the hysteresis
voltage were modified by adjusting the breadth length ratio of special MOSFETs. 丁he circuit was pro-
vided with a current source in need of equipping external current supply. Simulation results showed
that when V00 was 3 V , a practical circuit operating on O. 6μm CMOS process achieved the threshold
voltage from 100 mV to 240 mV , and the hysteresis voltage could be precísely 5mV and the transient
response of the circuit is in 1μs.
Key words: comparing circuit; hysteresis; turn threshold; positive feedback
能自身产生偏置咆流的迟栅比较电路，电路铺构
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