《电工电子技术教学课件》5.pptVIP

5.2.2 伏安特性 U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压U(BR) 正向特性： E VD I 反向特性： E VD I反 U死区电压，不通；U死区电压，导通；U??I? I反很小，与温度有关；U?击穿电压，击穿导通；?I? ? 5.2.3 主要参数 1.最大整流电流 IOM 2.最大反向工作电压URM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 二极管正常工作时允许承受的最大反向工作电压。手册上给出的最高反向工作电压URM一般是UBR的一半。 3. 最大反向电流 IRM 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。 1. 理想二极管 U 0，VD导通；UD=0，I取决于外电路；相当于一个闭合的开关 E VD I UD E I U U ?0，VD截止；I=0， UD（负值）取决于外电路；相当于一个断开的开关 E VD I反 UD E I反 U 5.2.4 应用举例 2.二极管的应用 电路如图示：已知E=5V， ui=10sin?t V R VD E ui uO 解： 此类电路的分析方法： 当D的阳极电位高于阴极电位时，D导通，将D作为一短路线