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基于InP衬底的晶格失配In0.68Ga0.32As的MOCVD生长及其特性
第32卷第2期 红外与毫米波学报 V01．32，No．2
2013年4月 Millim．Waves April，2013
J．Infrared
’
文章编号：1001—9014(2013)02—0118—04
As的
基于InP衬底的晶格失配Ino．68Gao．32
MOCVD生长及其特性研究
朱亚旗1，-， 陈治明1， 陆书龙2， 季 莲2， 赵勇明2， 谭 明1’2
(1．西安理工大学自动化与信息工程学院，陕西西安710054；
125)
2．中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件重点实验室，江苏苏州215
摘要：采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3IxmIn。。Gao，：As薄膜生长．通过As组分的改
变，利用张应变和压应变交替补偿的InAs。P。应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力，在InP衬底上得
到了与In。。。Gao，：As晶格匹配的InAs，P。。“虚拟”衬底，通过对缓冲层厚度的优化，使应力能够在“虚拟”衬底上完
力的方法能够有效提高Ino68Gao托As外延层的晶体质量．
关键词：Ino
68Gao32As；应力释放；InAs。Pl。
中图分类号：G316文献标识码：A
ofthelatticemismatched As
Characterization Ino．68Gao．32
MaterialGrownonInPsubstrateMOCVD
by
ZHU Lian2，ZHAO
Ya．Qil，2，CHENZhi．Min91，LUShu．Lon92，JI Yong．Min92，TANMin91’2
Of andinformation 7
(1．Xi’anuniversitytechnology，Automationengineeringinstitute，Xi’an10054；
2．SuzhouInstituteofNano—teehand devices
Nano—bionics，NanoFLOTU，Suzhou215125)
latticemismatched Asmaterialswere onInPsubstrateMOCVD
Abstract：The Ino68Gao32 grown by technology．In—
an
buffer structureswithvariousAs were onInP forms
As，P1．。metamorphiclayer compositionsgrown substrates，which
ahemativetensionandstrainoffsetbuffer this astrainrelaxed
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