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基于Q-MMIC技术的W波段低成本PIN管
第34卷第6期 红外与毫米波学报 V01.34,No.6
2015年12月 Millim.Waves December,2015
J.Infrared
文章编号:1001—9014(2015)06—0680—04
LowcostW-bandSPSTPINdiodeswitch
byQ-MMICtechnology
xu 4,XUJie,
Zheng—Bin QIANCheng
ofMillimeter
(StateLaboratmy Waves,SoutheastUniversity,Nanjing210096,China)
Key
PINdiode forW—band a
Abstract:A applicationusing
highperformancesingle—pole—single—throw(SPST)switch
lowcost was PINdiodesmountedontoa fabricated
developed.Byutilizingflip—chip separately passive
approach
a W—band millimeter—wave
circuit substrate.a integratedcircuit(Q—MMIC)switch
havingquagz quasi—monolithic
and i-
PINdiodemodelanda structurewere to alowlOSS
wasachieved.A3-D compensation adoptedacquire high
minimuminsertionlOSSiSabout0.5dBat88GHzandlessthan
solationswitch.Themeasurementresultsshowthe
to101 is than30dBfrom84to105GHz.Thetotal
2dBoverthe of80 GHz.Theisolation
range greater
frequency
sjzeoftheswitchisI.5mmx3.0mm.
millimeter-wave
circuit(Q—MMIC),switch,PINdiode,W
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