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基于Q-MMIC技术的W波段低成本PIN管

第34卷第6期 红外与毫米波学报 V01.34,No.6 2015年12月 Millim.Waves December,2015 J.Infrared 文章编号:1001—9014(2015)06—0680—04 LowcostW-bandSPSTPINdiodeswitch byQ-MMICtechnology xu 4,XUJie, Zheng—Bin QIANCheng ofMillimeter (StateLaboratmy Waves,SoutheastUniversity,Nanjing210096,China) Key PINdiode forW—band a Abstract:A applicationusing highperformancesingle—pole—single—throw(SPST)switch lowcost was PINdiodesmountedontoa fabricated developed.Byutilizingflip—chip separately passive approach a W—band millimeter—wave circuit substrate.a integratedcircuit(Q—MMIC)switch havingquagz quasi—monolithic and i- PINdiodemodelanda structurewere to alowlOSS wasachieved.A3-D compensation adoptedacquire high minimuminsertionlOSSiSabout0.5dBat88GHzandlessthan solationswitch.Themeasurementresultsshowthe to101 is than30dBfrom84to105GHz.Thetotal 2dBoverthe of80 GHz.Theisolation range greater frequency sjzeoftheswitchisI.5mmx3.0mm. millimeter-wave circuit(Q—MMIC),switch,PINdiode,W

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