《模拟与数字电子技术基础》2.4晶体管的小信号模型.pptVIP

2.4 晶体管的小信号模型 2.4.2 场效应管低频小信号模型 2.4.1 晶体管低频小信号模型 一、低频模型的建立 2.4.1 双极型晶体管低频小信号模型 双极型晶体管的微变等效电路的推导可以从晶体管的特性曲线得出，从输入特性曲线可以模拟出输入侧的模型；从输出特性曲线可以模拟出输出侧的等效电路模型。 晶体管的输入回路可以用输入特性曲线上工作点Q 附近的动态输入电阻 rbe 来模拟。 1. 从输入特性曲线模拟 晶体管的输出特性曲线近似一个电流源，这个电流源受基极电流控制，属于电流控制电流源（CCCS)，所以，晶体管的输出回路可以用近似的电流源 来模拟。 2. 从输出特性曲线模拟 由于双极型晶体管的输出特性曲线比场效应管的输出特性曲线更平直，所以，并联在受控源上的电阻rce很大，在简化模型中给予忽略。 将输入和输出回路的模型合在一起，即构成了晶体管的简化模型。 图2.4.1 双极型晶体管的简化模型 请注意，图2.4.1中rbe和? 也称为h参数，它们是一种小信号参数，也称微变参数或交流参数。h参数的大小与工作点有关，所以 h 参数只适合对交流小信号的分析。 1. 通过晶体管输入特性曲线求解rbe 晶体管的交流输入电阻rbe ，输入特性曲线上的求解过程如下： Q Q Ube Ib 二、 模型中的主要参数 在讨论这个问题时，可借助于晶体管的物理结构示意图，见图2.4.2 (图中受控源未画) ，晶体管内部有发射区、集电区和基区，以及两个PN结，b相当基区内的一个点，b才是基极。晶体管发射结伏安特性曲线方程式如下： 2. 通过发射结伏安特性方程式求解rbe 其交流电导为 常温下UT≈26mV，所以re?Q≈UT /IEQ=26 mV/ IEQ 图2.4.2 物理结构示意图 在共射组态下，从基极b看进去的等效电阻为rbe，其中的电流是ib。所以rbe是两部分电阻之和，一个是rbb? ，另一个是re归算到基极回路的电阻值，所以有 对于小功率晶体管，rbb′≈200?～300?。大功率晶体管的rbb′约十几欧姆至几十欧姆。 3. 晶体管电流放大系数 ? 的求解 图2.4.5 ? 的图解 2.4.2 场效应晶体管低频小信号模型 一、 低频模型的建立 为了克服图解法进行动态分析时的不足，可采用微变等效电路法来计算放大电路的交流参数。微变等效电路法的核心是在小信号条件下，可以把非线性的曲线用一小段一小段直线来逼近，这样就可以把非线性的晶体管用一个线性模型来代替。 图2.4.4 场效应管低频小信号模型 开路 VCCS 晶体管微变等效电路与线性模型是同一问题的不同称谓。 图示场效应管简化的微变等效电路如，这个模型也仅适用低频和中频频段。 模型中的漏极输出电阻rds是由于漏极输出特性曲线上翘所致，随着USD的增加，受控源的电流是固定的，而rds中的电流有所增加， 所以随着USD增大， ID增大，曲线上翘。 二、 模型中的主要参数 模型中的主要参数是跨导gm，跨导可以查手册，通过转移特性曲线或漏极输出特性曲线求解，也可以通过转移特性曲线方程式求导得到。 在转移特性曲线上求低频跨导gm ，单位是mS(毫西门子)。 耗尽型场效应管的转移特性曲线方程式为 跨导为 增强型场效应管的转移特性曲线方程式为 跨导为