智能检测技术与系统课件chap06图像检测.pptVIP

第6章　图像检测 6.1 概述 6.2 图像采集 6.3 图像处理 6.4 图像检测结论的智能推断方法 6.1 概述 在智能检测系统中，检测的关键元件是传感器，通过传感器将非电量转换为电量及参数，但是，在某些工业生产领域，被测量的测量难以通过传统意义上的传感器来实现，如工业窑炉烧结带温度估测，传统的热电偶、热电阻、光学高温计、红外测温仪等大多测量的是点温度，不能及时反映整个温度场，实用的方法是通过烧结工对窑炉火焰特征的观察，结合自己长期的经验，进行温度估测。实际上，火焰特征就是人眼看到的火焰图像；结合人类专家的经验所进行的温度估测具有明显的智能特征。 随着数字图像处理技术的发展，神经网络、专家系统、模糊处理等智能信息技术的成熟，出现了一种新型的检测技术－基于数字图像处理的智能检测技术。 数字图像处理是用计算机和一定的算法进行图像运算和处理，以达到预期目的和效果的过程。数字图像处理的内容包括： 图像数字化和编码、压缩； 图像增强和恢复； 图像分割和描述； 图像变换 。 6.2 图像采集 图像采集是实现图像数字化处理的前提和基础。目前，图像采集主要基于CCD固体图像传感器来实现，CCD固体图像传感器是一种光电式传感器，所谓光电式传感器，就是利用光电器件把光信号转换成电信号的装置。 由于它具有光电转换、信息存储和延时等功能，而且集成度高、功耗小，所以在固体图像传感、信息存储和处理等方面得到了广泛的应用。 6.2.1 CCD的工作原理 CCD的突出特点是以电荷作为信号，而不同于其它大多数器件是以电流或者电压为信号。有人将其称为“排列起来的MOS电容阵列”。 一个MOS电容器是一个光敏单元，可以感应一个像素点，如一个图像有1024×768个像素点，就需要同样多个光敏单元，即传递一幅图像需要由许多MOS光敏单元大规模集成的器件。 CCD的MOS光敏单元结构 CCD的单元结构是MOS电容器，如图6.1（a）所示。 电荷存储原理 所有电容器都能存储电荷。设MOS电容器的半导体是P型硅，当在金属电极上施加一个VG正电压时，金属电极板上就会充上一些正电荷，附近的P型硅中的多数载流子－空穴被排斥到表面入地，在衬底Si-SiO2界面处的表面势能将发生变化，处于非平衡状态，若衬底电位为0，表面处电子的静电位 能小于0，则表面处有贮存电荷的能力，半导体内的电子被吸引到界面处来，从而在表面附近形成一个带负电荷的耗尽区，称为电子势阱或表面势阱，电子在这里势能较低，沉积于此，成为积累电荷的场所，如图6.1（c）所示。 电荷转移原理 CCD器件基本结构是一系列彼此非常靠近（间距为15～20）的MOS光敏单元，这些光敏单元使用同一半导体衬底；氧化层均匀、连续；相邻金属电极间隔极小。任何可移动的电荷都将力图向表面势大的位置移动。 电荷的注入 CCD的信号是电荷，信号电荷的产生有光信号注入和电信号注入两种方法。光信号注入是当光信号照射到CCD衬底硅片表面时，在电极附近的半导体内产生电子－空穴对，空穴被排斥入地，少数载流子（电子）则被收集在势阱内，形成信号电荷存储起来，存储电荷的多少与光照强度成正比。电信号注入是CCD通过输入二极管将信号电压或电流转换为信号电荷注入势阱中。 电荷的输出 CCD信号电荷在输出端被读出 的方法如图6.2所示。OG为输 出栅，它实际上是CCD阵列的 末端衬底上制作的一个输出二 极管，当输出二极管加上反向 偏压时，转移到终端的电荷在时钟脉冲作用下移向输出二 极管，被二极管的PN结所收集，在负载上形成脉冲电流。输出电流的大小与信号电荷的大小成正比，并通过负载电阻转换为信号电压输出。 6.2.2 CCD固体图像传感器的分类 CCD图像传感器从结构上可分为两类：一类用于获取线图像的，称为线阵CCD；另一类用于获取面图像，称为面阵CCD。线阵CCD目前主要用于产品外部尺寸非接触检测或产品表面质量评定、传真和光学文字识别技术等方面；面阵CCD主要用于摄像领域。 线阵型CCD图像传感器 对于线阵CCD，它可以直接接收一维光信息，而不能将二维图像转换为一维的电信号输出。线阵CCD图像传感器有两种基本形式，即单沟道和双沟道线阵图像传感器，其结构如图6.3所示。 面阵型CCD图像传感器 面阵型CCD图像器件的感光单元呈二维矩阵排列，能检测二维平面图像。按传输和读出方式不同，可分为行传输、帧传输和行间传输三种，具体结构如图6.4所示。 6.2.3 基于CCD的图像采集系统 从硬件上看，图像采集系统的原理如图6.5所示，它分为照明系统、同步系