基于改进元胞自动机方法的强制对流作用下三维枝晶生长的数值.pdfVIP

第42卷 第4期 稀有金属材料与工程 、，01．42．No．4 ANDENGD丁EERnqG 2013 2013年 4月 RAREMEl=AL～m肛RIAI．S A呻l 基于改进元胞自动机方法的强制对流作用下 三维枝晶生长的数值模拟 石玉峰，许庆彦，柳百成 (清华大学先进成形制造教育部重点实验室，北京100084) 摘要：建立了一种改进的元胞自动机模型来模拟熔体对流条件下的二元合金三维枝晶的生长。模型中考虑了界面能 各向异性和溶质扩散对固／液界面推移的影响，在同一套网格中耦合求解质量传输和液相流动方程，从而可以模拟溶质 扩散和熔体对流之间的相互作用。使用该模型模拟了一定过冷度条件下，强制对流对A1．7％si(质量分数，下同)合金 三维枝晶生长形貌的影响。模拟结果表明，熔体强制对流导致迎流侧尖端溶质富集层减薄，枝晶生长出现了迎流生长 现象。将模拟得到的溶质过饱和度与Oseen．Iv柚tsov解析解进行对比，当流速较大时两者吻合较好。同时模拟了三维和 二维强制对流作用下枝晶生长形貌的演化，由于三维条件下对流使得熔体能够绕过垂直于对流方向的一次枝晶臂主干 将溶质带到背流侧，而二维条件下只能绕过垂直方向一次臂的尖端，因此三维McA模型能更准确地反映强制对流对枝 晶生长的影响。 关键词：改进的元胞自动机；强制对流；三维枝晶生长 中图法分类号：TG244+．3 文献标识码：A 文章编号：1002．185x(2013)04．0700一06 枝晶生长过程中熔体流动是不可避免的现象。熔 以及两者对枝晶形貌演化的不同影响；最后将模拟结 体对流可以显著改变枝晶界面前沿的溶质成分分布， 果与Oseen．Ivantsov解析解进行了对比。 对枝晶生长形貌和枝晶间微观偏析都有较大影响。目 1 数值模型 前国内外已有很多学者通过cA方法研究熔体对流 对枝晶生长的影响，但是大多数研究工作集中在二维 1．1流场控制方程 情况下[1巧】。实际枝晶生长是在三维空间进行的，与二 针对牛顿流体，假设合金熔体不可压缩，凝固过 维假设有所不同，因此应将CA模型扩展到三维空 程中液相强制对流受连续性方程和动量方程控制，方 间。Yuan等【6】将CA模型和动量传输方程结合起来，程不考虑固相移动，其中连续性方程为： 模拟了Ni—Nb二元合金三维单枝晶在强制对流作用下 V．“=O (1) 的迎流生长现象，但是模型中未考虑界面能各向异性 动量方程为： 的影响。 p(孚+甜．v甜)：一即+v．(胛“) (2) 本文通过建立熔体对流条件下立方晶系二元合金 优 枝晶生长的三维MCA模型来研究熔体对流对三维枝 式中，”是速度场矢量，“=(材，v，w)，材、v和w分别为 晶生长形貌的影响。模型中将动量、溶质传输方程和 鼠．y和z方向的速度，p是压力项。 枝晶生长CA方程结合起来，引入三维条件下枝晶界 1．2三维枝晶生长CA模型 面曲率和界面能各向异性的简化计算方法，同时在三 在三维枝晶生长CA模型中，计算域离散成若干 维直角坐标系下求解枝晶尖端生长速率方程，实现了 均匀正交的立方元胞，每个元胞的状态用其固相分数 熔体对流作用下三维枝晶形貌演变的数值模拟。选择 五标识，元胞状态有液态(五=O)、固态魄=1)和界 Al一7％Si二元合金，使用该模型模拟了强制对流条件面(0锈1)3种类型。 下的三维枝晶与熔体静止条件下枝晶形貌的不同；同 枝晶生长过程中，液相溶质变化受到