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内部结构示意图 逻辑结构示意图 ROM的基本工作原理 6.2.1 静态随机存储器（SRAM）的结构 * * 第六章 存储器 引 言 半导体存储器是由半导体器件构成的大规模集成电路，专门用来存放二进制信息的，是任何数字电路不可缺少的一部分。 按所用半导体器件的不同,半导体存储器分为: 1.双极型-----工作速度快，在微机中作高速缓存cache 2.MOS型-----功耗小，因而集成度高。用于大容量存储，如微机中的内存条。 按存取方式半导体存储器可分为: 1. 只读存储器ROM Read Only Memory ROM一般由专用的装置写入数据，数据一旦写入，不能随意改写，断电后，数据不会消失，具有非易失性。 2.随机存取存储器RAM Random Access Memory 1) SRAM 静态 随机存取存储 器 （Static） 2) DRAM 动态随机存储存取器（Dynamic） 任何时刻对任何单元都能直接写入或读出 二进制信息，断电后信息就丢失。 ROM分类：从制造工艺上，有二极管ROM、双极型ROM和MOS型ROM三种；从存储内容存入方式上，分为固定ROM和可编程ROM。可编程ROM又可细分为一次可编程存储器PROM、光可擦除可编程存储器EPROM、电可擦除可编程存储器E2PROM和快闪（flash）存储器等。 固定ROM又称为掩膜ROM，在制造时，生产厂家利用掩膜技术把数据写入存储器中，一旦ROM制成，其存储的数据就固定不变。 PROM在出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可以根据自己的需要，利用通用或专用的编程器，将某些单元改写为0（或1） 6.1 ROM的定义与基本结构 ROM是一种永久性数据存储器，其中的数据一般由专用的装置写入，数据一旦写入，不能随意改写，在切断电源后，数据也不会消失。 所有ROM(ROM、PROM、EPROM等）的电路结构都包含地址译码、存储单元和输出缓冲三部分。地址译码用译码器实现；存储单元的电路有二极管、MOS管等多种，存储单元组成的存储矩阵实际上是与－或阵列；输出缓冲由输出缓冲器组成。 输出控制电路一般都包含三态缓冲器，以便与系统的数据总线连接。当有数据读出时，可以有足够的能力驱动数据总线；没有数据输出时，输出高阻态不会对数据总线产生影响。 ROM属于组合逻辑电路。存储阵列由许多存储单元组成，每个存储单元存放1位二值数据。通常存储单元排列成矩阵形式，且按一定位数进行编组，每次读出一组数据，这里的组称为字。一个字中所含的位数称为字长。为了区别各不同的字，给每个字赋予一个编号，称为地址。地址译码器将输入的地址译成相应的字单元控制信号，控制信号从存储矩阵中选定指定的单元，并将其中的数据送到输出控制电路。字单元也称为地址单元。地址单元的个数N与二进制地址码的位数满足N=2n 二维译码 采用上图所示译码方式，如构造一个28×1位的ROM，至少需要8个输入与非门和16个反相器缓冲器来构成8线～256线译码电路。为减少译码电路庞大的问题，实际的ROM中，采用行译码和列译码的二维译码结构来减少译码电路的规模。 可编程ROM 存储阵列可由二极管构成，也可用MOS管或BJT管构成。这类ROM也称为固定ROM或掩膜ROM。器件厂家根据提供的ROM存储内容，利用掩膜技术把数据写入，一旦ROM制成，存储内容就固定不变。 另外，存储阵列也可以采用带金属熔丝的二极管、N沟道叠栅MOS（SIMOS）管、Flotox MOS管和快闪叠栅MOS管等，制成可编程ROM。 PROM 采用熔断丝结构，译码器输出高电平有效。出厂时，熔丝是连通的，即全部存储单元为1，若使某些单元改为0，只要通过编程器，并给这些单元足够大的电流将熔丝烧断即可。熔丝烧断后不能恢复，因此PROM只能改写一次。 EPROM 采用浮栅技术生产的可编程存储器，存储单元多采用N沟道叠栅MOS管（SIMOS），其原理是：利用浮栅是否积累有负电荷来存储二值数据。擦除是用紫外线或X射线照射，浮栅上的电子形成光电流而释放，从而恢复到写入前的状态。为了便于照射擦除，芯片的封装外壳装有透明的石英盖板。EPROM的擦除为一次全部擦除，数据写入需要通用或专用的编程器。 E2PROM 也是采用浮栅技术生产的可编程存储器，其构成单元的MOS管是一个隧道MOS管。与SIMOS管相比，隧道MOS管也是利用浮栅是否累积有负电荷来存储二值数据的，不同的是隧道MOS管是利用电擦除，擦除速度很快（毫秒）。其电擦除过程就是改写过程，以字为单位进行，可随时改写。 快闪存储器 存储单元的MOS管结构与SIMOS管类似，但有两点不同，一是