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姓名： 分數： 答案直接寫在每題題號之前，答對85％及格 中興大學物理系SEM訓練筆試考題 2004/10/1 SEM電子束來源為(a)加熱鎢絲所產生的熱電子(b)高電壓致使空氣游離放電(c)加速帶電粒子撞擊金屬產生游離電子(d) 穿遂電流 SEM加速電子主要在(a)電磁透鏡(condenser lens)(b)掃瞄線圈(scanning coil)(c)物鏡(objective lens)(d)電子槍(electron gun) 當樣品與物鏡之間的距離（稱為工作距離）變大時，下列哪一敘述為錯(a)電子束聚焦點變大(b) 解析度增加(c)景深(field of depth)增加(d)放大能力變差 右圖中編號的位置，以下敘述何者為錯誤？ (a)調整樣品座與水平的角度 (b)在開wobb下，調整影像左右晃動的旋鈕 (c)可以調整working distance (d)開啟chamber的卡榫按鈕 目前SEM上配備的偵測器，以下何者不是？(a)SE (b)EDS (c)SSBSE (d) OM 偵測下列何種粒子所產生的SEM影像的偵測器需要用液態氮冷卻(a)Auger電子 (b)背向散射電子(c)二次電子(d)X光螢光 SEM為何需要真空(a)增加電子槍壽命 (b) 增加電子束穩定性(c)避免內部放電(d)避免樣品產生反應變質(e)以上皆是 系上所購買SEM所使用之真空系統與真空度為(a)Rotary Pump + Diffusion Pump 10-4torr (b) Rotary Pump + Diffusion Pump 10-6torr (c) Turbo Pump + Diffusion pump 10-6torr (d) Diffusion Pump + Turbo pump 10-4torr (e) Rotary Pump + Turbo pump 10-6torr 系上所購買SEM一般工作時電子束的加速電壓約為(a)2.0eV (b) 200eV (c)20KeV (d)2.0MeV 樣品鍍金主要目的為(a)保護樣品以免產生化學反應(b)避免樣品表面電荷聚集影響影像解析度(c)固定樣品表面形狀以免電子撞擊產生形變(d)增加樣品保存期限 本實驗室所使用的SEM是何種機型？(a)Hitachi SM350 (b)Joel SM 300 (c)Topcon SM 350 (d)Hitachi SM 300 (e)Topcon SM 300 在我們的機臺剛開始要觀察影像時，Spot size通常調在 (a)3 (b)8 (c)9 (d)11 (e)14 開機時，先開(a)冷卻水 (b)SEM 面板上電源開關 (c)電腦 (d)chamber (e)turbo pump “WOBB”功能是用來(a)調整FOCUS (b)調整工作距離 (c)調整Stig (d)物鏡孔徑軸校準(e)調整電子束大小 下列部分關機程序何者有誤？ (a) 按STAND BY (b) 壓下AIR 鍵(燈亮)至真空腔內之壓力等於大氣壓止 (c) 設定- 工作距離：5mm,- X、Y 軸：000,- 傾斜角：0- 樣品台控鈕：UC (d) 壓下鎖定裝置鈕，拉出樣品台 (e) 將樣品座取下，取出樣品 當你調整搖桿在螢幕上觀察到影像向右移動，實際的樣品向那個方向移動？當你面對SEM面板(a)向你的右方 (b)向前，遠離你的方向 (c)向後，接近你的方向 (d)向你的左方 (e)向上 當你利用搖桿調整樣品XY位置時，你可以在哪裡讀到移動的位移(a)電腦螢幕之顯示數字 (b)搖桿上之顯示數字 (c)SEM主面板上之顯示數字 (d)腔體前之顯示數字 (e)無法知曉 以下哪一個是我們SEM的aperture沒有的大小？(a) 30?m(b) 50?m (c) 100?m (d)150?m(e) no aperture 如果影像focus在下圖樣品座『X』的位置，請問電腦右下方顯示的WD，是計算到下圖中的那一個部位？ 承上題，那chamber的右方WD刻度又是計算到上圖的哪裡？ 承上題，我們要計算樣品的安全工作距離，請問要以上圖的哪一個部位為基準點，才是正確的WD？ 如果要使用背向散射，以下哪一個工作距離是不允許的？(a)5mm (b)12mm (c)15mm (d)20mm 如上圖，我們SEM標準樣品座，從(a)到(c)的高度為：?(a)20mm (b)18mm (c)15mm (d)12mm 有關樣品平台tilt angel的敘述，下列何者為錯？(a)樣品平台可轉的角度為-20到90度 (b)當使用大的樣品座（50mm），要立起來