卷曲效应对单壁碳纳米管电子结构的影响鄢.PDFVIP

物理学报摇 粤糟贼葬孕澡赠泽援杂蚤灶援摇 灾燥造援远园袁晕燥援员圆 渊圆园员员冤摇 员圆苑猿园猿 卷曲效应对单壁碳纳米管电子结构的影响鄢 覮 秦摇 威摇 张振华 摇 刘新海 渊长沙理工大学物理与电子科学学院袁长沙摇 源员园园园源冤 渊圆园员员年圆月圆远 日收到曰圆园员员年远月猿园 日收到修改稿冤 摇 摇 利用计入卷曲效应的单壁碳纳米管渊杂宰悦晕栽冤的能量色散关系袁计算最低导带的电子速度及有效质量袁并与不 计入卷曲效应的结果进行了比较援计算结果表明院卷曲效应对电子速度及有效质量的影响与杂宰悦晕栽 的类型密切相 关袁金属锯齿型杂宰悦晕栽对卷曲效应最为敏感袁其次是扶手椅型杂宰悦晕栽袁最不敏感的是半导体锯齿型杂宰悦晕栽援 由此 可以推断袁卷曲效应对金属锯齿型杂宰悦晕栽 电子结构及低偏压输运特性影响最大袁其次是扶手椅型杂宰悦晕栽袁影响最 不明显的是半导体锯齿型杂宰悦晕栽援这些结果与实验测量及密度泛函理论计算结果完全一致援 关键词院单壁碳纳米管袁卷曲效应袁电子速度袁电子有效质量 孕粤悦杂院苑猿援圆圆援原枣袁苑猿援远猿援原遭袁苑猿郾圆猿援原遭 员郾 引 言 圆郾 理论模型 由于光刻技术尧热效应及电子波动性等方面的 在紧束缚模型渊栽月模型冤中袁图员所示的石墨 限制袁传统的硅基电子器件将很快达到尺寸极限袁 平面的 仔 电子波函数鬃渊噪袁则冤 可用布洛赫函数 所以发展纳米分子器件是突破这一极限的有效方 喳准躁 札展开咱员源袁员缘暂 法援 目前袁人们已对纳米分子器件进行了大量而深 鬃渊噪袁则冤 越 悦渊噪冤准 渊噪袁则冤摇 摇 渊躁 越粤袁月冤袁渊员冤 鄱躁 躁 入的研究咱员要员猿暂援理论和实验均已表明咱源袁缘袁员源暂 袁单壁碳 躁 其中 喳悦躁 札为组合系数袁粤袁月 为不等价的两个碳原 纳米管渊杂宰悦晕栽冤作为一维体系袁具有许多优异的电 葬贼 子援设布洛赫函数 喳准躁 札由原子轨道波函数 喳准 札线躁 学性质袁是制备纳米分子器件的优质材料援杂宰悦晕栽 性组合而成袁即 是由石墨烯卷曲而成袁对于二维石墨平面袁每个碳 员 葬贼 准 渊噪袁则冤 越 鄱藻曾责渊蚤噪 窑姿 冤准 渊则 原姿 冤袁渊圆冤躁 原子有源个价电子袁共计源 个波函数袁其中猿 个波 躁 灶 灶 晕 姿灶 函数参与泽责圆 杂化形成滓键袁剩下员个电子波函数 其中晕为石墨平面原胞个数袁姿灶 为格矢袁即碳原子 构成 圆责扎 态袁即 仔 键援 当石墨卷曲成 杂宰悦晕栽 时袁 的位置矢量援 仔轨道不再与石墨平面垂直袁