半导体物理和器件物理基础要点.ppt

* 加动画 * 场效应晶体管 结型场效应管 绝缘栅场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 2. MOS场效应晶体管(MOSFET)晶体结构 结构示意图 L 沟道长度 W 沟道宽度 D(Drain)为漏极 G(Gate)为栅极 S(Source)为源极 NMOS D(Drain)为漏极， G(Gate)为栅极， S(Source)为源极， P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ S D G B N 型衬底 (掺杂浓度低) P+ P+ S D G B PMOS S G D B S G D B 符号 增强型 P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ S D G B D(Drain) 为漏极 G(Gate) 为栅极