第8卷第3期.pdfVIP

第 8 卷第 3 期 过 程 工 程 学 报 Vol.8 No.3 2008 年 6 月 The Chinese Journal of Process Engineering June 2008 堇青石基体化学气相沉积碳化硅薄膜及其性能表征 1,2 1,2 1 1 尹博文 ， 杨 艳 ， 马 兵 ， 张伟刚 (1. 中国科学院过程工程研究所多相复杂系统国家重点实验室，北京 100190 ；2. 中国科学院研究生院，北京 100049) 摘 要：采用等温等压化学气相沉积技术，分别以 CH SiCl −H 和 SiCl −CH −H 为气源，在沉积温度 1100 和 1000 ℃、 3 3 2 4 4 2 压力 101 kPa 条件下，制备了 SiC 薄膜. 利用 SEM 和 XRD 、显微拉曼光谱、EDAX 元素分析、HRTEM 等测试技术对 沉积薄膜的结构和组成进行了表征. 结果表明，1100 ℃时，以 CH SiCl −H 为气源沉积得到纯净的 SiC 薄膜，以β-SiC 3 3 2 (111)面择优定向生长，由微米级的金字塔锥形结构组成，硅含量随着沉积温度降低而增加；以 SiCl −CH −H 为气源 4 4 2 沉积得到非晶态碳掺杂的 SiC 薄膜，碳含量随着沉积温度降低而增加. 此外，以 CH SiCl −H 为气源沉积的 SiC 颗粒 3 3 2 平均粒径均比以 SiCl −CH −H 为气源的粒径大. 前者 SiC 薄膜的方块电阻在 kΩ级以上，且随着沉积温度的下降急剧 4 4 2 升高；后者 1100 ℃时制备的薄膜的方块电阻在kΩ级以上，且随着沉积温度的降低而急剧下降，1000 ℃时降低到Ω级. 关键词：化学气相沉积；β-SiC；堇青石；表征 中国分类号：O484 文献标识码：A 文章编号：1009−606X(2008)03−0589−06 (CH4)和丙烷. 以前的研究大多集中在各影响因素，如压 1 前 言 [2−6] 力、温度、稀释气体流量等对 SiC 薄膜质量的影响 . 碳化硅(SiC)是 IV−IV 族二元共价化合物，在其晶 SiC 可作为高温半导体或热电材料，其电阻率的大 体结构中每个硅原子被相邻 4 个碳原子包围，硅原子和