半导体物理学第五章3.pdf

半导体物理学 陈延湖 §5.6 载流子的扩散运动 对非平衡载流子有两种空间运动  电场作用下的漂移运动。(第四章√)  浓度差引起的扩散运动  1 扩散定律  2 稳态扩散方程  3 举例（探针注入） A B 光 照 0 x x+ Δx x  当半导体内的载流子分布不均匀时，会出现载流子由高浓 度处向低浓度处的扩散运动。  由于扩散运动而形成的净电荷流动将形成电流，称为扩散 电流。 A B 1 扩散定律  对均匀掺杂的N型半导体,平 衡态载流子n0各处相同，不 会形成扩散。 光  而光照在表面薄层大部分被 照 吸收，非平衡载流子Δp在 表面薄层均匀产生，内部的 Δp很少，只考虑一维x 方向 形成浓度梯度，则非平衡载 0 x x+ Δx x 流子空穴沿x 方向做扩散运 动。 d p(x) 则少子空穴浓度梯度 dx 引入表征扩散的物理量：  扩散流密度Sp(x) ：单位时间通过扩散的方式流 过垂直的单位截面积的载流子数。 实验证明：扩散流密度正比于浓度梯度 d p(x) S D (5-79) p p dx 2 D 为空穴扩散系数，单位是cm /s，负号表示由高浓度向 p 低浓度扩散，上式即为扩散定律。对于电子同样有： d n(x) S D (5-93) n n dx 2 稳态扩散方程及扩散电流 假设表面有恒定光照，则表面非平衡载流子将保持恒 定，半导体内部载流子分布也将达到稳定分布。 在 x + x 处，扩散流密度为： Sp (x x) 在 1 秒钟内，在 1x 体积内的空穴数为： Sp (x) Sp (x x) 单位时间、单位体积中积累的空穴数为： Sp (x ) Sp (x x ) dSp (x ) d 2 p (x)  D lim p 2 x 1x dx dx 