高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响.pdfVIP

　第 20 卷第 7 期 半　导　体　学　报 . 20, . 7 V o l N o 　1999 年 7 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S July, 1999 高温退火时化学计量比偏离对 GaA s 晶体 气固相平衡的影响 赵福川　夏冠群　杜立新　谈惠祖　莫培根 ( 中国科学院上海冶金研究所　上海　200050) 摘要　本文利用 的 缺陷模型研究了在 = 1150 ℃时, 固溶体化学计量比 W enzl GaA s T Ga1- xA sx 偏离度(S = 1- 2x ) 对 GaA s 晶体气固相平衡的影响. 计算表明平衡A s 压在晶体富A s 情况下 ( ) ( ) 即 0 随 的减小, 迅速增加、而在富 情况下 即 0 随 的增大趋于零. 为了了解杂 S S Ga S S 质对相平衡的影响, 本文考虑了非掺 晶体中两种浓度较高的杂质 和 , 发现在 浓度为 L EC C B C 154 ×1016cm - 3 时, 平衡A s 压的变化趋势基本不变,A s 压只有少许增加. 在B 浓度为 2 2 ×1017 cm - 3 时, 平衡A s 压在富A s 侧有较大降低. : 8140, 8160 , 8130 PACC C D 1　引言 引起半绝缘( ) 衬底材料电学性质不均匀的原因很复杂, 研究表明 电 S I GaA s S I GaA s 学不均匀性与位错密度没有直接的关系, 而与位错所吸附的缺陷有关, 在这些缺陷中起主要 [ 1 ] [ 2, 3 ] 作用的是A s 沉淀 . 近十年来, 关于A s 沉淀对器件电学性质的影响已有很多报道 . 虽然一般的后期热退火能够显著提高材料的电学均匀性, 但它的作用仅仅是改变A s 沉淀在材料中的分布, 退火后得到的材料均匀性还难以满足低功耗大规模数字集成电路的 要求. 为了进一步提高材料的微区电学均匀性, 人们在过去 10 年先后提出了许多改进的退 [ 4～ 6 ] ( ) [ 7 ] 火技术 , 其中O da 等提出的晶片多步热退火 MW A 能获得高电学均匀性的晶片 . 为 了解释其机理, 他们认为在高温退火下平衡A s 压与晶片的化学计量比有关, 适当的砷压控 制可以消除衬底中大尺寸的