第4章〔潘〕场效应管放大器.pptVIP

第四章 场效应管放大器 4.1 结型场效应管: 符号： 二、工作原理（以N沟道为例） 漏源电压VDS对iD的影响 4.1.2 伏安特性曲线及参数 （2）恒流区：(又称饱和区或放大区） （3）夹断区： 2、转移特性曲线 结型场效应管的特性小结 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 4.3.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管 2、N沟道增强型场效应管的工作原理 N沟道增强型场效应管的工作原理 栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用 2 .漏源电压VDS对沟道导电能力的影响 当VDS为0或较小时，VGD＞VT，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。 增强型MOSFET的工作原理 MOSFET的特性曲线 2.转移特性曲线— VGS对ID的控制特性 增强型MOS管特性小结 耗尽型MOSFET 耗尽型MOSFET的特性曲线 场效应三极管的参数和型号 4. 输入电阻RGS 场效应管与晶体管的比较 耗尽型 4.4 场效应管放大电路 (2) 分压式偏压电路 4.4.2 小信号模型分析法 2.用小信号模型进行交流分析 例4.4.2 源极输出器 低频模型 高频模型 跨导 漏极输出电阻 1. 小信号模型 小信号等效电路 （1）电压放大倍数 (2) 输入电阻 (3) 输出电阻 uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k D S C2 G 一、静态分析 US?UG UDS=UDD- US =20-5=15V uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k D S C2 G ri ro ro? g R2 R1 RG s d RL RS 微变等效电路 二、动态分析 ri ro ro? g R2 R1 RG s d RL RS 微变等效电路 输入电阻 ri ● 导电沟通： 从参与导电的载流子来划分，它有自由电子导电的N沟道器件和空穴导电的P沟道器件。 ● 场效应管： 场效应晶体三极管是由一种载流子（多子）导电的、用输入电压控制输出电流的半导体器件，具有输入阻抗高，温度稳定性好的特点。 ● 分类： 按照场效应三极管的结构划分，有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。 ● 器件外形： N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G栅极 S源极 D漏极 一、结构 导电沟道 PN结（耗尽层） 4.1.1 结构和工作原理 P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S N沟道结型场效应管 N P P G栅极 S源极 D漏极 D G S 当 UDS= 0 V时： UGS D G S N P P * 若加入UGS 0,PN结反偏，耗尽层变厚 * 若UGS = 0,沟道较宽，沟道电阻小 沟道变窄，沟道电阻增大 * 若UGS = VP （夹断电压）时 沟道夹断，沟道电阻很大 |UGS|越大,则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 但当|UGS|较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 沟道夹断时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 加入UGS使沟道变窄，该类型效应管称为耗尽型 随VDS增大，这种不均匀性越明显。当VDS增加到使VGD=VGS-VDS =VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断点。 当VDS继续增加时，预夹断区向源极方向伸长。电阻增大，使VDS增加不能使漏极也增大，漏极电流 iD 趋于饱和。 * 在栅源间加电压VGS，漏源间加电压VDS。 由于漏源间有一电位梯度VDS 漏端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS-VDS 源端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS 使靠近漏端的耗尽层比源端厚，沟道比源端窄，故VDS对沟道的影响是不均匀的，使沟道呈楔形，沟道夹断前，iD 与 vDS 近似呈线性关系。 特点: (1)当vGS 为定值时, 管子的漏源间呈线性电阻，且其阻值受 vGS 控制 ，（ iD 是 vDS 的线性函数）。 （2）管压降vDS 很小。 用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。 条件： 源端与漏端沟道都不夹断 （1）可变电阻区 1、输出特性曲线： （动画2-6） 用途: 可做放大器和恒流源。 条件: (1)源端沟道未夹断 (2)漏端沟道予夹断 (2) 恒流性：输出电流 iD 基本上不受输出电压 vDS 的影响。 特点: (1) 受控性： 输入电压 vGS 控制输出电流 用途：做无触点的、接通状态的电子开关。 条件：整个沟道都夹断 （4）击穿区 当漏源电压增大到 时，