电化学Ta2O5薄膜漏电流机理的研究进展.pdfVIP

学兔兔 化 工 进 展 ·832· CHEMICAL INDUSTRY AND ENGINEERING PROGRESS 2013年第32卷第4期 电化学Ta2o5薄膜漏电流机理的研究进展 石 维 ，杨邦朝 ，张选红 ，方 鸣 ，马建华 ，李 玮 ，王兴伟 ( 电子科技大学，四川 成都 61 0054； 中国振华电子集团有限公司，贵州 贵阳550018) 摘 要：介绍了阳极Ta2O5薄膜的电化学形成机理，并重点分析了电化学形成的Ta2O5薄膜漏电流机理的研究进 展。描述了影响电化学Ta2O5薄膜生长的关键因素，包括氧含量、杂质缺陷和薄膜晶化等；分析了Ta2O5薄膜漏 电流机理，如空间电荷限制电流(SCLC)、Fowler-Nordheim fF-N)导电机理、Pool—Frenkel(PF)发射、Schottky (s)发射等。最后展望了降低电化学Ta2O5薄膜材料的漏电流的理论及技术发展前景，Ta2O5薄膜后期的热处理、 高分子增强塑性和复合薄膜技术等方面的新技术的应用将值得期待。 关键词：电化学方法；Ta2O5薄膜；钽电解电容器；漏电流 中图分类号：TM 223 文献标志码：A 文章编号：1000—6613(2013)04—0832—05 DoI：10．3969~．issn．1000．6613．2013．04．018 Research progress of formation mechanisms of electrochemically prepared Ta2Os thin films SHIWei ，YANGBangchao ，ZHANGXuanhong2FANGAiling2MAJianhua2Li Wei ，WANGXingwei2 ， ， , (1University of Electronic Science and Technology of China，Chengdu 6 1 0054，Sichuan，China： China Zhenhua Electronics Group，Guiyang 550018，Guizhou，China) Abstract：Research on formation mechanisms of electrochemical Ila205 thin films iS reviewed．The emphasis is on the mechanism of leakage current in response to light for electrochemical Ta205 thin films．The influence factors for the form ation ofTa205 thin films，including oxygen content，impurities and crystallization are described．The mechanisms of leakage current，such as the Fowler-Nordheim (F-N)conductive mechanism，space charge limited current(SCLC)，Pool—Frenkel(PF)emission and Schottky(S)emission are