半导体桥对含能材料的点火特性研究.pdfVIP

网络出版时间：2012-07-23 09:18 网络出版地址：/kcms/detail/51.1489.TK0918.009.html 半导体桥对含能材料的点火特性研究 39 1 10 0 6 -9 94 1 ﹙2 0 12 ﹚04 -0 3 9 1-0 6 2 10 0 94 在10 F 钽电容放电激励下，对两种阻 相当质量不同的半导体桥 ﹙SCB ﹚和细化的发火药剂斯蒂芬酸铅 ﹙LTN R ﹚和叠氮化 铅 ﹙PbN 6 ﹚所组成的发火件进行了实验研究，根据发火件的电特性变化和发火现象发现半导体桥存在电热发火、电爆发火和等离子 体发火三种情况，测试了SCB / LTN R 和 SCB / PbN 6 发火件的50 % 发火电压和发火时间。结果表明半导体桥的发火电压阈 不仅 与发火药剂有关，还与半导体桥换能元有关，所以半导体桥的设计存在最佳质量，通过对比得知 LTN R 比PbN 6 感度高，PbN 6 比 LTN R 的燃速高。 军事化学与烟火技术；半导体桥；发火药剂；临界发火电压；发火时间 TJ4 50 A D O I ： 10 . 3 9 6 9 /j . issn . 10 0 6 -9 94 1 . 2 0 12 . 04 . 0 02 示波器采集不同激励电压时发火件的电压、电流和电 1 阻信号，分析发火件的发火现象，得出 SCB 的发火原 理，利用D -最优化法测试不同发火件的50 % 发火电 半导体桥 ﹙以下简称 SCB ﹚作为以电能输入的第 压，得出影响SCB 发火能量的因素。 三代火工品已经得到广泛应用，于 196 8 年由美国的 ［1 ］ H ollan d er 发明 ，美国圣迪亚实验室对其进行了研 2 究和完善，并分别于 19 87 年和 1990 年获得专 利 ［2 −3］。它与传统桥丝式火工品相比具有体积小、发 2 . 1 ［4 ］ 火能量低、响应快等特点 。国内外许多学者对 SCB 选用两种 SCB 作为实验对象，桥区结构见图1 ，两 产生等离子体的行为进行了若干研究，普遍认为 SCB 种样品的厚度均为 2 m ，分别对100 发1# 样品和 的工作原理为，桥一旦熔化并且完全气化后，电流通过 100 发2 # 样品利用显微镜 ﹙O LYMPU S BX5 1 ﹚和多用 硅蒸汽即产生等离子体 ［5 ］，由此认为 SCB 点火属于等 # 表 ﹙Agilen t 344 0 5 A ﹚进行测量，经统计，其中1 样品桥 离子体点火，即脉冲电流使 SCB 熔化、气化爆发后形 区平均长度 l 为 2 1 m ，平均宽度 w 为 50 . 5 m ， ［6 ］ 成等离子体，等离子体