电子学概说1_0-5.doc.doc

§1 半導體 物質與導電性 原子中的核外電子依其特性可分為： 束縛電子：距離原子核較近，所受的束縛力較大，不參與化學反應。 價電子：距離原子核較遠處，構成原子間的共價鍵，以及參與化學反應。即原子外層能階軌域上的電子。 自由電子：束縛力微弱的價電子，可在原子間自由移動。 材料依其可導電的程度，分為： 導體：導電性良好，其電阻率很低(10-3歐姆-公分)，如銅、鋁。其原因是原子的外層價電子所受束縛力非常微弱，故電子可在原子間的空隙自由移動(即自由電子)。 絕緣體：導電性很差，而電阻率很高(108歐姆-公分)，如玻璃、石臘。其原因是外層電子受到原子內部束縛，不易掙脫。 半導體(semiconductor)：其導電性介於導體與絕緣體之間，在週期表的位置大約是在3A~4A族之間。其原子內部的價電子，雖然受到相當的束縛力，但是由於熱運動或外加的電場，均可使部分的價電子脫離原子的束縛，而形成相當的導電能力。 各種導體與及絕緣體的電導率(電阻率的倒數)幾乎為定值，而同一種類的半導體的電導率卻有相當大的變化範圍。這是因為把微量的「雜質」(impurity)摻入(doping)半導體中，可以很大程度的改變半導體材料的電阻率。相反的，無論怎麼摻入雜質到導體或絕緣體中，它們的電阻率卻幾乎是固定不變的。 當金屬的溫度升高時，其電阻係數隨之增大或是減小？㊣：電阻的產生是因為電子和原子碰撞所致。當金屬的溫度升高，其內部原子振動的振幅加大，增加了電子和原子之間的碰撞機會，因此電阻係數隨之增大。ex：電燈泡的燈絲在點亮後，由於溫度升高，因此其電阻較點亮前為大。 導電原因：由量子力學，固態物質的導電性可以用能帶理論來解釋。電子的允許能量有兩個分佈，稱為傳導帶(conduction band)與價電子帶(valence band)，不允許的能量稱為禁止帶(forbidden band)。電子如果存在於傳導帶，則為自由電子，可以載送電流。如電子存在於價電子帶，則受原子核的束縛而不能任意移動。右圖為導體、半導體與絕緣體的能帶簡圖。 半導體材料 固態電子元件：固態材料最不易變形，具有最大的力學強度，製作裝置時有最穩固而可靠的工作特性。因此，目前常見的電子元件大多以固態的材料製作而成。 材料的物理特性，取決於所組成原子的種類和原子間的排列方式。按組成原子排列的整齊程度區分，固體可分為： 單晶(single crystalline)體：每個原子或原子群，在空間上整齊的排列並且其有週期性。如圖(a) 多晶(poly-crystalline)體：由許多區塊所組成，各個區塊內的原子有其週期性的排列方式，但不同的區塊，排列方向並不一致。如圖(b) 非晶(amorphous)體：原子或原子群則幾乎沒有週期性排列可言。如圖(c) 常見的電子元件，多以單晶的半導體材料製作而成。這是因為單晶體的導電性與品質的可控制性最佳。但製作單晶材料所需的設備規格、技術層次與生產成本也最高。我們常用幾N來代表單晶體的純度，ex：6N = 99.9999%(還是有不完美處) Ⅱ-B Ⅲ-A Ⅳ-A V-A Ⅵ-A B硼 C碳 N氮 O氧 Al鋁 Si矽 P磷 S硫 Zn鋅 Ga鎵 Ge鍺 As砷 Se硒 Cd鎘 In銦 Sb銻 Te碲 Hg汞 元素半導體及化合物半導體：目前約有六百種已知的半導體材料 週期表中Ⅳ族的元素半導體：其中矽半導體是電子元件的主流材料 Ⅲ-Ⅴ族或Ⅱ-Ⅵ族元素所組成的化合物(compound)半導體：如砷化鎵(GaAs)或硒化鋅(ZnSe)等材料，所製成的元件工作時，有可發光的特性。因此，光電(opto-electronic)半導體元件常以化合物材料製成。ex：發光二極體(LED)或雷射二極體(LD)。 共價鍵(Convalent Bonds) 矽與鍺：兩種廣用的半導體材料，普遍用來製造二極體、電晶體以及其它電子元件。矽與鍺同樣帶有4個價電子。以下以矽材料來說明。右圖顯示純矽晶體中矽原子的排列方式及其外圍電子(實際上應為立體結構，此處以平面圖表示比較容易說明)。 矽原子： 有14個電子，其中4個電子在原子的最外殼層(shell)，稱為價電子(valence electron)，在單晶的矽材料中，每個矽原子與其他4個矽原子相鄰。 一個價電子與靠近的一個矽原子，各提供一個價電子產生鍵結，建立共價鍵(Covalent bond)。 如此，每個矽原子的外圍，等效上相當於具有8個價電子而形成化學的穩定性(=四個共價鍵)。此鍵結非常穩固，電子不易脫離原子的束縛。 載子--電子、電洞 電洞：在室溫下純矽晶體由外界獲得能量，使一些價電子得到足夠的能量，由價帶(束縛)跳到傳導帶(自由移動)，而成為自由電子。而同時在其價帶上留出了空位，此空位就叫做「電洞」。兩者以「