快速退火对Ni-Al-O栅介质结构和介电性能的影响.PDF

第26 卷 第3 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 26 No. 3 2011 年3 月 Journal of Inorganic Materials Mar. , 2011 文章编号: 1000-324X(2011)03-0257-04 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2011.00257 快速退火对 Ni-Al-O 栅介质结构和介电性能的影响 1 1 2 1 李 曼 , 刘保亭 , 王玉强 , 王宽冒 ( 河北大学 1. 物理科学与技术学院; 2. 电子信息工程学院, 保定071002) 摘 要: 采用反应脉冲激光沉积方法(PLD)分别在 n-Si(100)和 Pt/Ti/SiO /Si(111)衬底上生长了 Ni-Al-O 栅介质薄膜, 2 将样品在不同温度下进行快速退火处理. 通过 XRD 和 AFM 对其结构和表面形貌进行了表征, 利用 LCR 表和 Keithley 表对其介电性能和漏电流进行了研究. 结果表明, 样品经过 750 ℃退火后仍然保持非晶状态, 且样品的表 面平整, 均方根粗糙度小于0.5 nm. 在 1 MHz 测试频率下, 由Pt/Ni-Al-O/Pt 电容器测得的介电常数为9.9. MOS 电 容器的电学测试显示, 700℃以上退火的样品有较高的电容值, 较低的漏电流密度. 研究表明, Ni-Al-O 薄膜是一种 有潜力的新型高k 栅介质材料. 关 键 词: 高k 栅介质; Ni-Al-O 薄膜; 反应脉冲激光沉积 中图分类号: O484 文献标识码: A Effect of Rapid Thermal Annealing on Structural and Electrical Characteristics of Ni-Al-O Gate Dielectrics 1 1 2 1 LI Man , LIU Bao-Ting , WANG Yu-Qiang , WANG Kuan-Mao (1. College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China; 2. College of Electronic and Infor- mation Engineering, Hebei University, Baoding 071002, China) Abstract: The high-k Ni-Al-O gate dielectric films were deposited on S