10-19(场效应管)1要点.pptVIP

设共射放大电路在室温下运行，其参数为： [实验二　频率特性研究] 1、求静态工作点: 2、试计算它的中频源电压增益，并用分贝数表示； 3、试计算它源电压增益的上限频率; 4、忽略 试计算它源电压增益的下限频率。 解： 设共射放大电路在室温下运行，其参数为： [实验二　频率特性研究] 1、求静态工作点， 解： 模型参数为 [实验二　频率特性研究] 设共射放大电路在室温下运行，其参数为： 2、试计算它的中频源电压增益，并用分贝数表示； 2、试计算它的中频源电压增益，并用分贝数表示； [实验二　频率特性研究] 解： 增益用分贝数表示 3、试计算它源电压增益的上限频率; [实验二　频率特性研究] 解： 所以该电路源电压增益的下限频率为 [实验二　频率特性研究] 4、忽略 试计算它源电压增益的下限频率。 解： 1. N沟道增强型MOSFET的结构 L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 人的头发直径 【小数据】 ⑴结构示意图 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 符号 ⑵实际的N沟道增强型MOSFET结构剖面图 ⑶代表符号 1. N沟道增强型MOSFET的结构 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 vGS =0 0vGS VT VT ≦ vGS vGS越大，导电沟道越厚 VT 称为开启电压 反型层 d、s间加电压后 4.1.1 N沟道增强型MOSFET vGS 电场 沟道 将有电流产生 有 无 有 有 无 无 无电流 无电流 （2）可变电阻区和饱和区的形成机制 vDS由0逐渐增大 ?ID也由0逐渐增大 ① 2. 工作原理 4.1.1 N沟道增强型MOSFET A、什么叫预夹断 （2）可变电阻区和饱和区的形成机制 2. 工作原理 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 当vDS增加到使 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 预夹断后，继续增加vDS B、预夹断后MOSFET如何进入饱和区 ?夹断区延长 ?ID基本不变 （2）可变电阻区和饱和区的形成机制 2. 工作原理 4.1.1 N沟道增强型MOSFET S G D G G G G G D D D 夹断演示 （3） vDS和vGS同时作用时 vDS一定，不同的vGS,对应不同的iD 给定一个vGS ，就有一条不同的 iD – vDS 曲线。 2. 工作原理 4.1.1 N沟道增强型MOSFET ①沟道中只有一种类型的载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 ③ MOSFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 ④预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 为什么MOSFET的输入电阻比BJT高得多？ ② MOSFET栅极与沟道间有绝缘层，因此iG?0，输入电阻很高。 小结： 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.1 N沟道增强型MOSFET （1）输出特性 vGSVT，导电沟道尚未形成， iD＝0 3. V-I特性曲线及大信号特性方程 ①截止区： 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 3. V-I特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性 可变电阻区： 本征导电因子： 反型层中电子迁移率： 栅极氧化层单位面积电容： 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 可变电阻区 在特性曲线原点附近，vDS很小，进而忽略 ： 输出电阻（原点附近）： 3. V-I特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 饱和区： 预夹断临界条件： 3. V-I特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性 ⑵转移特性 3. V-I特性曲线及大信号特性方程 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 输入特性 输出特性 转移特性 BJT MOSFET 类别 O O 符号 比较BJT(NPN)和MOSFET(E型NMOS),填写下表 主要不同点 栅极不通 1,区域定义不同 2,BJT电流控制 3,MOSFET电压控制 4.1.4 沟道长度调制效应 实际MOS管在饱和区的输出特性曲线考虑vDS对沟道长度L的调制作用： vDS增加，iD也相应地增加。 1、沟道长度调制效应 4.1.4 沟道长度调制效应 典型器件： 以NMOS增强型为例： 沟道长度调制参数?对输出特性公式的修正： 1、沟道长度调制效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 三、交流参数 N沟道增强型MOSFET为例(不考虑沟道长度调制效应)： ①输出电阻： ②低频互导：单位mS(毫西门子) 4.2.1 MOSFET基本共源极放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N