静电式微开关硅悬臂梁的变形分析.pdfVIP

2001年第20卷 第l2期 传感器技术(Joum~d Trarleducer Techno]o~) 静电式微开关硅悬臂梁的变形分析 陈广文，许高攀，胡国清 (厦门大学 机电工程系，福建厦门361005) 摘 要：介绍丁 种计算微开关的硅悬臂粱在电场力作用下的变形的方法 由于作用在瓣上的载荷随着 梁的变形而变化．用积分法计算存在相当困难，以下提出了 种计算变形的新方睦：将梁分为川个小段， 则粱上的分布力可近似为 个集中力，将初始均布载荷分成 步，逐步加载，在每个载菏步后根据变形结 果修正 个集中力．同时增加 个载荷增量，作为下 步的载荷。只要 ， 和 取到充分大．就可得到粱变 形的精确结果 美键词：悬臂粱；变形；增量法 中围分类号：TP2t2 文献标识码：A 文章编号：1000—9787(2001)t2—0029 03 Deformation analysis of silicon cantilever for electr0static microswitch CHEN Guang—V／~ln．．XU Gao-pan．HU Guo-qing (Dept．of Mech．and Elec．Engin．，Xiamen Univemity，Xiamen 361005．Chinaj ．abstract： Fhedetonnationanalvs 。f a si[imn[]liCrOrt3achnied cantilever of electrostaticmicroswi．ch Ls pr~ented Fr~xn mlalysis．it has been lⅡ nv that the force applied 0n the camilever vari~ acmrdi~g to the defornmtion of canti Lever．so it difficult to solve the diffexemial equation of the defommtion．mpecially，the d is changing A n叫 metht~t to∞ lhis pmbt~na岍 presented as纠low，the cantilever is divided into a number of stoat【seg w,ent“t a um讲1。nthat every segment has a tan【eov,centra~ed [orce．a LdtheforceoI electrieity s~,3aded slep by step，wh口1 the segment and kind slep is small~iK)ugh，the simulatkm resutl will be hmited to accuracy Key rds：cmlti[ever；deformation：enhancement mett／Jd 0 前 言 其主要部件是一个硅悬臂梁，在粱的底面溅射 利用MEMS微加工技术制作的微开关，由于实 有一层金属层作为上驱动电极，同样，在底板上对应 现r触点的金属——金属接触．因而具有接触电阻 有驱动下电极，当在上一F驱动电极同施加驱动电压 时，悬臂梁产生变形，当梁接触到下面的触点后 接 低、隔离度高的优点．在信号处理、通讯系统以及微