第7章 存储器复杂可编程器件和现场可编程门阵列.pptVIP

构成CLB的基础是逻辑单元LC，LC主要包括查找表LUT和可编程数据选择器（实现组合逻辑关系）和触发器（实现时序逻辑关系）。 LUT （SRAM） A B C D F * 它由一个二线～四线地址译码器和一个4×4的存储矩阵组成。存储矩阵由二极管组成，其输出为D3～D0。 A1A0为输入的地址码，可产生W3～W04个不同的地址，W3～W0称为字线，用以选择存储的内容，D3～D0称作位线。 在W3～W0中，任一输出为高电平时，在D3～D04根线上输出一组4位二进制代码，每组代码称作一个字。 第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列 学习要点： 半导体存储器的分类方法 ROM、RAM的电路结构和工作原理 CPLD和FPGA的基本结构 7.1 只读存储器（ROM） 7.2 随机存取存储器（RAM） 7.3 复杂可编程逻辑器件（CPLD） 7.4 现场可编程门阵列（FPGA） 第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列 退出 7.1 只读存储器（ROM） 7.1.1 ROM的定义与基本结构 7.1.2 二维译码 7.1.3 可编程ROM 7.1.4 集成电路ROM 7.1.5 ROM的读操作与定时图 7.1.6 ROM应用举例 退出 存储器的分类 RAM：在工作时既能从中读出（取出）信息，又能随时 写入（存入）信息，但断电后所存信息消失。 ROM：在工作时只能从中读出信息，不能写入信息，且断电后其所存信息在仍能保持。 根据使用功能不同，可分为： 根据存储机理不同，RAM又可分为： 静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM） ROM器件根据制造工艺不同分为： 二极管ROM、双极型ROM和MOS型ROM ROM器件根据存储内容的存入方式不同分为： 固定ROM和可编程ROM（PROM） 可编程ROM又可分为： 一次可编程存储器（PROM） 光可擦除可编程存储器（EPROM） 电可擦除可编程存储器（E2PROM） 快闪存储器（Flash Memory） 7.1.1 ROM的定义与基本结构 存储阵列 地址译码器 输出控制电路 地址输入 控制信号输入 数据输出 由大量存储单元 构成的矩阵 用以决定访问 哪个字单元 控制输出 三态缓冲电路 的状态 读出数据 的通道 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 2线-4线 译码器 +5V R R R R A1 A0 D3 D2 D1 D0 OE 字线 位线 存储阵列 输出控制电路 ROM结构示意图 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 高 阻 0 地址 译码器 7.1.2 二维译码 A3 A2 A1 A0 Y0 Y1 4 线 | 16 线 译码器 +VDD R R R R D0 A7 A6 A5 A4 Y14 Y15 ? ? ? ? ? ? ? ? ? S3 S2 S1 S0 I15 I14 I1 I0 A3 I15 I14 I1 I0 16线-1线数据选择器 Y A2 A1 A0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 ? ? ? 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 用MOS管构成存储单元的ROM结构示意图 256×1 7.1.3 可编程ROM ROM器件根据存储内容的存入方式不同分为： 固定ROM和可编程ROM。 可编程ROM又可分为： 一次可编程存储器PROM（存储阵列由带金属熔丝的二极管构成） 光可擦除可编程存储器EPROM（存储阵列由SIMOS管/N沟道叠栅MOS管构成） 电可擦除可编程存储器E2PROM（存储阵列由Flotox MOS管/隧道MOS管构成） 快闪存储器（存储阵列由快闪叠栅MOS管构成） 固定ROM是利用掩模技术把数据写入存储器中（即构建存储阵列中字线与位线交叉处二极管的有、无），一旦制成，存储数据无法改写。 快闪存储器 ROM EPROM E2PROM 非易失性 是 是 是 是 高密度 是 是 是 否 单管存储单元 是 是 是 否 在系统可写 是 否 否 是 几种ROM性能比较 7.1.4 集成电路ROM X译码 Y译码