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20120721_PECVD工艺参数对薄膜制备的影响之本底真空衬底温度汇
让不可能成为可能 Making the IMPOSSIBLE possible PECVD工艺参数对薄膜制备的影响 本底真空/衬底温度 （其它影响因素：射频功率、气体稀释比（H2：SiH4）、气体压强等） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 目录 1 本底真空对薄膜制备的影响 2 衬底温度对薄膜制备的影响 3 衬底温度对薄膜性能影响的两篇报道和规律总结 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 本底真空对薄膜制备的影响 本底真空度低时，腔室中含有的杂质气体分子较多，在反应或沉积的过程中杂质参与反应或者成为杂质粒子进入薄膜，使薄膜的缺陷增多，质量变差，从而影响薄膜的性能 本底真空度提高时，腔室中的杂质气体减小，薄膜的纯度提高，缺陷减少。 原则上可以认为，本底真空越高，制备的薄膜性能越好，但考虑到泵的局限性、生产的效率等问题，实际生产中抽真空的时间不可能无限长 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 一篇PECVD制备氮化硅薄膜本底真空影响的报道 本底真空度与薄膜电阻率、击穿场强的关系，随着本底真空度的变低，薄膜的电学性能变差。 尽管本底真空度对PECVD制备的a-Si:H薄膜性能的影响报道很少（目前未见相关研究），但在本底真空低时，薄膜的光电性质变差、制得的薄膜纯度不高，存在着与上述类似的关系 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 新能生产线CVD腔室本底真空度和抽真空时间参数 p、i、n层沉积本底真空：5e-4Pa （阈值？） 抽真空时间：30-50s Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 衬底温度对薄膜制备的影响 在其它成膜条件固定的情形下，衬底温度对 a-Si：H生长的影响主要有以下几个方面： 薄膜生长速率 薄膜结构 ——在特定的温度下，生长的薄膜结构可能 为单晶态、非晶态或微晶态 … 薄膜光电性质——折射率、消光系数、吸收系数、 光学禁带宽度、光、暗电导率 衬底温度 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 补充知识1：光的吸收与吸收系数 光的线性吸收规律：I=I0 exp (- α l) (1) 一维平面电磁波电场强度：E=E0 exp[-iω(t - n x / c)] (2) n 取复数折射率n ( 1+i k ) ， k 称为消光系数，(2)式化为： E=E0 exp(-nk ω x / c) exp [-iω(t - n x / c)] (3) 光强是E的模平方，I ~ I0 exp (-2nk ω x / c ) (4) 比较(1) (4)两式，得到 α ( λ )= 2nkω / c = 4π n k / λ (5) 非晶硅在可见光范围内的吸收系数约10 e5 cm-1量级，这是非晶硅电池设计为‘薄膜’的根本原因，也是我们进行pin层厚度设计的理论依据。 吸收系数的测量——分光光度计 光进入物质后，光强度
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