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《传感器》课程试题及答案汇

参考资料 填空题 1、变间隙型电容传感器做成差动结构以后,灵敏度变为原来的1 倍。 2、补偿导线法常用作热电偶的冷端温度补偿,它的理论依据是中间 温度 定律。 3、传感器是将被测 非电物理量 转换为 电量 的装置。 4、半导体材料受到外力的作用,电阻率发生变化的现象叫 压阻 效应。 5、光在光纤中传播是基于光的 全反射现象 。 6、光电池是基于 光生伏特 效应工作的光电器件,作为测量元件适宜用作 电流 源(电压/电流)。 7、传感器的动态特性决定了它能测量的被测信号 测量 范围。 8、为克服导线电阻对测量造成影响,热电阻通常采用 电桥式三线制 接法。 9、差动变压器在零位移时的输出电压称为 零点残余电压 ,它是由于两个次级线圈电气参数与几何尺寸不对称,以及磁性材料的非线性问题引起的。 10、霍尔元件所采用的材料为 半导体 。 11、红外辐射的物理本质是 热辐射 ,物体温度越高则波长越短 。 12、已知压力表的量程为30Mpa,最大绝对误差为0.3Mpa,则该压力表的精度为 1 级。 13、变气隙厚度式单线圈电感传感器的初始间隙越小,则灵敏度越 高 。 14、按表达式对误差进行分类,可将误差分为 绝对误差 、相对误差 和引用误差 。 15、光敏电阻是基于 内光电 效应的光电器件。 16、热电阻的阻值会随温度的升高而变大 。 17、热电偶中产生的热电势由接触电势 和 温差电势 组成。 18、压电式传感器测量电路中前置放大器的作用有两个:一是 阻抗变换放大压电式传感器输出的微弱信号 A )。 A、基极开路、集电结反偏、发射结正偏 B、基极开路、集电结正偏、发射结反偏 C、基极接电信号、集电结正偏、发射结反偏 D、基极接电信号、集电结反偏、发射结正偏 2、以下说法不正确的是 (B ) A、石英晶体沿光轴方向受力时不产生压电效应。 B、光敏二极管在不受光照时处于导通状态。 C、测量结果与其约定真值之差即为误差。 D、对于金属导体材料,其压阻效应极小,而对于半导体材料,其几何效应较小。 3、以下属于有源型的传感器是( D ) A、应变片 B、电容式传感器 C、差动变压器 D、热电偶 4、基于外光电效应工作的器件有( D) A、光敏电阻 B、光敏二极管 C、光电池 D、光电倍增管 5、不能用来测静态力的传感器是( B ) A、应变片 B、压电传感器 C、电容式传感器 D、电感式传感器 6、用光电断续器测电机转速实验中,通过示波器读取脉冲周期为10ms,现电机上有4个叶片,则该电机的转速为( B ) A、50r/s B、25r/s C、12.5r/s D、20r/s 7、差动变压器式传感器是利用线圈的( D )的变化实现非电量测量的一种装置。 A、磁路磁阻 B、自感 C、电涡流 D、互感 8、以下只能用于检测导体的接近开关是( B ) A、电容式 B、涡流式 C、光纤式 D、光电开关 9、为消除压电传感器的连接电缆分布电容变化对输出灵敏度的影响,可采用( C )。 A、相敏检波器 B、电压放大器 C、电荷放大器 D、滤波器 10、沿石英晶体的光轴z的方向施加作用力时( )。   A在晶体的光轴z方向产生电荷 B、在晶体的电轴x方向产生电荷   C在晶体的机械轴y方向产生电荷 D晶体不产生压电效应 A )。 基极开路、集电结反偏、发射结正偏 基极开路、集电结正偏、发射结反偏 C. 基极接电信号、集电结正偏、发射结反偏 D、基极接电信号、集电结反偏、发射结正偏 12、差动变压器式传感器是利用线圈的( D )的变化实现非电量测量的一种装置。 A、磁路磁阻 B、自感 C、电涡流 D、互感 13、以下不属于有源型的传感器是(B ) A、热电偶 B、差动变压器 C、压电式传感器 D、光电池 14、以下关于误差的说法正确的是( D ) 系统误差可以通过多次重复测量减小或消除  仪表的精度等级通常用最大引用误差来表示。  随机误差可以用调整或校正的方法加以消除 D、 粗大误差无需通过多次重复测量即可发现。 15、变隙式自感型电感式传感器的灵敏度

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