传感器与单片机接口技术实训报告汇.pptVIP

电气11032班 李涛;目录;实训目的;实训内容;实训所需元件列表;传感器工作原理;光电效应 ;外光电效应 在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的物理现象称为外光电效应，也称为光电发射效应。逸出来的电子称为光电子。外光电效应可用爱因斯坦光电方程来描述式中，v是电子逸出物体表面时的初速度;m是电子的质量;W是金属材料的逸出功(金属表面对电子的束缚).上式为著名的爱因斯坦光电方程，它揭示了光电效应的本质。根据爱因斯坦的假设：一个光子的能量只能给一个电子，因此单个的光子把全部能量传给物体中的一个自由电子，使自由电子的能量增加为hf，这些能量一部分用于克服逸出功形，另一部分作为电子逸出时的初动能。由于逸出功与材料的性质有关，当材料选定后，要使金属表面有电子逸出，入射光的频率f有一最低的限度。当hf小; 于W时，即使光通量很大，也不可能有电子逸出，这个最低限度的频率称为红限频率。当hf大于W时，光通量越大，逸出的电子数目也越多，光电流也就越大。 根据外光电效应制成的光电元器件有光电管、光电倍增管、光电摄像管等。 内光电效应 在光线作用下，使物体导电能力发生变化的现象称为内光电效应，也称为光电导效应。 根据内光电效应制成的光电元器件有光敏电阻、光敏二极管、光敏晶体管和光敏晶闸管等。;光生伏特效应 在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应。基于光生伏特效应的光电元器件是光电池。 光电开关 光电开关是用来检测物体的靠近、通过等状态的光电式传感器。它把发射端和接收端之间光的强弱变化转化为开关信号的变化以达到探测的目的。由于光电开关输出回路和输入回路是电隔离的(即电绝缘)，所以它可以在许多场合得到应用。;霍尔传感器;2013年5月31日;测速原理;光耦传感器接口电路图;霍尔传感器接口电路图;实物图;实训编程;} void main(void) { uchar databuf[9]; uint count=0; bit gd_b=0; bit hr_b=0; TMOD=0x10; TR1=1; ET1=1; EA=1; begin: init_jp_led_dz(); clr_led_dz(); led_string(0, 0 0);;for(;;){ if(read_key()== A){count=0;goto begin;} if(DQ==0){ sprintf(buf,%2bu,SD); led_string(6,buf); } if(cgq_gd_b==0){ gd_b=1; } if(cgq_hr_b==0){ hr_b=1; } if((cgq_gd_b!=0gd_b!=0)||(cgq_hr_b!=0hr_b!=0)){ gd_b=0; hr_b=0; ++count; ++DQ; sprintf(buf,%5u,count); led_string(0,buf); } } };实训心得;本次实训，特别感谢程利民、朱晓玲、黄京、姜新桥、桂毅、鲍方等老师（排名不分先后）耐心而又热情的指导和帮助！谢谢！