传感器工程2传感器技术基础1汇.ppt

第二章 传感器技术基础; 传感器利用了诸多的效应(包括物理效应、化学反应和生物效应)和物理现象，如利用材料的压阻、湿敏、热敏、光敏、磁敏、气敏等效应，把应变、湿度、温度、位移、磁场、煤气等被测量变换成电量。而新原理、新效应(如约瑟夫逊效应)的发现和利用，新型材料的开发和应用，使传感器得到很大的发展，并逐步成为传感器发展的主流。因此，了解传感器所基于的各种效应，对传感器的深入理解、开发和使用是非常必要的。;一、光电效应 二、电光效应 三、磁光效应 四、磁电效应 五、热电效应 六、热磁效应 七、压电效应 八、压阻效应;? ; 机械量 ;温度 ;磁 ;一、光电效应 photoelectric effect ——可制作各种光电器件，位移，振动，转速传感器 物质在光的作用下释放电子的现象称为光电效应。 被释放的电子称为光电子，光电子在外电场中运动电流称为光电流。 ;外光电效应 external photoelectric effect ——可制作光电管、光电倍增管传感器 外光电效应是指在光的照射下，物体内的光电子逸出金属表面的现象。1887 年由德国人赫兹发现。;面效应 surface effect 指物质在光的作用下释放光电子，光电子在金属表面形成。 体效应 bulk effect 指物质在光的作用下释放光电子，光电子在金属表面较深处形成。 ;内光电效应 internal photoelectric effect 受光照物体电导率发生变化或产生光电动势的效应叫内光电效应。;光（电）导效应 photo-conductive effect ——可制作光敏电阻（光电导管）传感器 物体受到光照时，其内部原子释放的电子留在内部而使物体的导电性增加、电阻值下降的现象称为光电导效应。绝大多数高电阻率半导体都具有光电导效应。;光生伏特效应 photoproduction volta effect ——可制作光电池、光敏二极管、光敏三极管和半导体位置敏感器件传感器 物体（如半导体）在光的照射下能产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应。;侧向光生伏特效应（殿巴效应） laterogene photoproduction volta effect（Dember effect） ——可制作半导体位置敏感器件（反转光敏二极管） 当半导体光电器件的光灵敏面受光照不均匀时，由载流子浓度梯度而产生的光电效应称为侧向光生伏特效应。;光电磁效应（PME 效应） optic magnetoelectric effect（PME effect） 半导体受强光照射并在光照垂直方向外加磁场时，垂直于光和磁场的半导体两端面间产生电势的现象称为光电磁效应。;PN 结光生伏特效应 PN junction photoproduction volta effect 可制作光电池、光敏二极管和光敏三极管传感器 光照射到距表面很近的半导体PN 结时，PN 结及附近半导体吸收光能。若光子能量大于禁带宽度，则价带电子跃迁到导带成为自由电子，价带成为自由空穴。电子空穴对在PN 结内部电场作用下，电子移向N 区外侧，空穴移向P 区外侧，结果P 区带正电，N 区带负电，形成光电动势。PN 结光生电流与入射光照度成正比，光生伏特与照度对数成正比。;贝克勒效应 Becquerel effect ——可制作感光电池传感器 当光照射浸在电解液中的两个相同电极中的任一个电极时，在两个电极间将产生电势的现象称为贝克勒Becquerel 效应。它是液体中的光生伏特效应。;二、电光效应 electro-optical effect ——可制作光导纤维传感器 物质的光学特性（如折射率）受外电场影响而发生变化的现象统称为电光效应。;线性电光效应（泡克尔斯效应） linear electro-optic effect（Pockels effect） ——可制作电光调制器、电光开关、光纤电压、电场传感器;平方电光效应（电光克尔效应） quadratic electro-optic effect（electro-optic Kerr effect） ——可制作光导纤维传感器 光照射具有各向同性的透明物质（也可以是液体），在与入射光垂直的方向上加以高电压将发生双折射现象，即一束入射光变成正常（寻常）和异常（非常）两